Горизонтальный держатель пластин SiC

ВеТек ПолупроводникГоризонтальный держатель пластин SiC/Лодка имеет чрезвычайно высокую температуру плавления (около 2700°C), что позволяетГоризонтальный держатель пластин SiC/Лодка стабильно работает в условиях высоких температур без деформации и деградации. Эта особенность особенно важна в процессе производства полупроводников, особенно в таких процессах, как высокотемпературный отжиг или химическое осаждение из паровой фазы (CVD).

TheГоризонтальный держатель пластин SiC/Катер выполняет следующие функции в процессе перевозки вафельных носителей:

Перенос и поддержка кремниевых пластин: Горизонтальная лодка для кремниевых пластин в основном используется для транспортировки и поддержки кремниевых пластин при производстве полупроводников. Он может надежно соединить несколько кремниевых пластин вместе, гарантируя, что они останутся в хорошем положении и стабильности на протяжении всего процесса обработки.

Равномерное отопление и охлаждение: Благодаря высокой теплопроводности SiC, Wafer Boat может эффективно и равномерно распределять тепло по всем кремниевым пластинам. Это помогает добиться равномерного нагрева или охлаждения кремниевых пластин при высокотемпературной обработке, обеспечивая последовательность и надежность процесса обработки.

Предотвратить загрязнение: Химическая стабильность SiC позволяет ему хорошо работать в высокотемпературных и агрессивных газовых средах, тем самым снижая воздействие на кремниевые пластины возможных загрязнений или реагентов, обеспечивая чистоту и качество кремниевых пластин.

Фактически, горизонтальная лодка из SiC Wafer Boat может играть вышеуказанную роль благодаря своим уникальным характеристикам продукта:

Отличная химическая стабильность: Материал SiC обладает превосходной коррозионной стойкостью к различным химическим средам. В процессе обработки агрессивных газов или жидкостей SiC Wafer Boat может эффективно противостоять химической коррозии и защищать кремниевые пластины от загрязнения или повреждения.

Высокая теплопроводность: Высокая теплопроводность карбида кремния помогает равномерно распределять тепло в процессе носителя и уменьшать накопление тепла. Это позволяет повысить точность контроля температуры при прецизионной обработке и обеспечить равномерный нагрев или охлаждение кремниевых пластин.

Низкий коэффициент теплового расширения: Низкий коэффициент теплового расширения материала SiC означает, что изменение размеров SiC Wafer Boat очень мало при изменении температуры. Это помогает поддерживать стабильность размеров во время высокотемпературной обработки и предотвращает деформацию или позиционное смещение кремниевых пластин, вызванное тепловым расширением.

Основные физические свойства горизонтального носителя SiC Wafer Carrier:

Цех полупроводникового производства «ВеТек»:

Обзор производственной цепочки эпитаксии полупроводниковых чипов: