Консольная лопатка SiC компании VeTek Semiconductor представляет собой продукт с очень высокими характеристиками. Наши консольные лопатки из карбида кремния обычно используются в печах термообработки для перемещения и поддержки кремниевых пластин, химического осаждения из паровой фазы (CVD) и других технологических процессов в процессах производства полупроводников. Высокая температурная стабильность и высокая теплопроводность материала SiC обеспечивают высокую эффективность и надежность процесса обработки полупроводников. Мы стремимся предоставлять высококачественную продукцию по конкурентоспособным ценам и надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.
Приглашаем вас прийти на наш завод Vetek Semiconductor, чтобы купить новейшую, недорогую и высококачественную консольную лопатку из карбида кремния. Мы надеемся на сотрудничество с вами.
Высокотемпературная стабильность: способен сохранять свою форму и структуру при высоких температурах, подходит для процессов высокотемпературной обработки.
Коррозионная стойкость: Отличная коррозионная стойкость к различным химикатам и газам.
Высокая прочность и жесткость: Обеспечивает надежную поддержку для предотвращения деформации и повреждений.
Высокая точность: высокая точность обработки обеспечивает стабильную работу автоматизированного оборудования.
Низкое загрязнение: материал SiC высокой чистоты снижает риск загрязнения, что особенно важно для сверхчистых производственных сред.
Высокие механические свойства: способность выдерживать суровые рабочие условия с высокими температурами и высокими давлениями.
Конкретные области применения консольной лопатки SiC и принцип ее применения
Обращение с кремниевыми пластинами в производстве полупроводников:
Консольная лопатка SiC в основном используется для перемещения и поддержки кремниевых пластин при производстве полупроводников. Эти процессы обычно включают очистку, травление, нанесение покрытия и термообработку. Принцип применения:
Обращение с кремниевыми пластинами: Консольная лопатка из карбида кремния предназначена для безопасного зажима и перемещения кремниевых пластин. Во время процессов высокотемпературной и химической обработки высокая твердость и прочность материала SiC гарантируют, что кремниевая пластина не будет повреждена или деформирована.
Процесс химического осаждения из паровой фазы (CVD):
В процессе CVD консольная лопасть SiC используется для переноски кремниевых пластин, чтобы на их поверхности можно было наносить тонкие пленки. Принцип применения:
В процессе CVD консольная лопасть SiC используется для фиксации кремниевой пластины в реакционной камере, а газообразный предшественник разлагается при высокой температуре и образует тонкую пленку на поверхности кремниевой пластины. Химическая коррозионная стойкость материала SiC обеспечивает стабильную работу в условиях высоких температур и химических сред.
Физические свойства рекристаллизованного карбида кремния | |
Свойство | Типичное значение |
Рабочая температура (°С) | 1600°С (с кислородом), 1700°С (восстановительная среда) |
содержание карбида кремния | > 99,96% |
Бесплатный Si-контент | < 0,1% |
Объемная плотность | 2,60-2,70 г/см3 |
Кажущаяся пористость | < 16% |
Сила сжатия | > 600 МПа |
Прочность на холодный изгиб | 80-90 МПа (20°С) |
Прочность на горячий изгиб | 90-100 МПа (1400°С) |
Тепловое расширение при 1500°C | 4,70 10-6/°С |
Теплопроводность при 1200°C | 23 Вт/м•К |
Модуль упругости | 240 ГПа |
Устойчивость к термическому удару | Очень хорошо |