Китай Порошок SiC высокой чистоты Производитель,Поставщик,Завод

VeTek Semiconductor — пионер отрасли, специализирующийся на разработке, производстве и маркетинге порошков SiC высокой чистоты, которые известны своей сверхвысокой чистотой, равномерным распределением частиц по размерам и превосходной кристаллической структурой. В компании есть группа исследований и разработок, состоящая из старших экспертов, которые постоянно продвигают технологические инновации. Благодаря передовым технологиям производства и оборудованию можно точно контролировать чистоту, размер частиц и характеристики порошка SiC высокой чистоты. Строгий контроль качества гарантирует, что каждая партия соответствует самым строгим отраслевым стандартам, обеспечивая стабильный и надежный базовый материал для ваших высокотехнологичных применений.

Преимущества порошка SiC высокой чистоты VeTek Semiconductor:

1. Высокая чистота: содержание SiC составляет 99,9999%, содержание примесей очень низкое, что снижает негативное влияние на производительность полупроводниковых и фотоэлектрических устройств, а также повышает стабильность и надежность продукции.

2. Отличные физические свойства: в том числе высокая твердость, высокая прочность и высокая износостойкость, что позволяет сохранять хорошую структурную стабильность во время обработки и использования.

3. Высокая теплопроводность: может быстро проводить тепло, помогает повысить эффективность рассеивания тепла устройства, снижает рабочую температуру, тем самым продлевая срок службы устройства.

4. Низкий коэффициент расширения: изменение размера незначительно при изменении температуры, что снижает растрескивание материала или снижение производительности, вызванное тепловым расширением и сжатием.

5. Хорошая химическая стабильность: устойчивость к кислотной и щелочной коррозии, может оставаться стабильным в сложной химической среде.

6. Характеристики широкой запрещенной зоны: высокая напряженность электрического поля и скорость дрейфа насыщения электронов подходят для производства полупроводниковых приборов при высоких температурах, высоком давлении, высокой частоте и мощности.

7. Высокая подвижность электронов: способствует повышению скорости работы и эффективности полупроводниковых устройств.

8. Охрана окружающей среды: Относительно небольшое загрязнение окружающей среды в процессе производства и использования.

Порошок SiC высокой чистоты находит следующие применения в полупроводниковой и фотоэлектрической промышленности:

Полупроводниковая промышленность:

- Материал подложки: порошок SiC высокой чистоты можно использовать для изготовления подложки из карбида кремния, которая может использоваться для производства высокочастотных, высокотемпературных, силовых устройств высокого давления и радиочастотных устройств.

Эпитаксиальный рост: в процессе производства полупроводников порошок карбида кремния высокой чистоты может использоваться в качестве сырья для эпитаксиального роста, который используется для выращивания высококачественных эпитаксиальных слоев карбида кремния на подложке.

-Упаковочные материалы: порошок карбида кремния высокой чистоты можно использовать для производства полупроводниковых упаковочных материалов для улучшения характеристик рассеивания тепла и надежности упаковки.

Фотоэлектрическая промышленность:

Кристаллические кремниевые элементы. В процессе производства кристаллических кремниевых элементов порошок карбида кремния высокой чистоты может использоваться в качестве источника диффузии для образования pn-переходов.

- Тонкопленочная батарея: в процессе производства тонкопленочной батареи порошок карбида кремния высокой чистоты может использоваться в качестве мишени для напыления пленки карбида кремния.