Китай Запасные части для процесса выращивания монокристаллов SiC Производитель,Поставщик,Завод

Продукт VeTek Semiconductor, покрытие из карбида тантала (TaC) для процесса выращивания монокристаллов SiC, решает проблемы, связанные с границей раздела выращивания кристаллов карбида кремния (SiC), в частности, комплексные дефекты, возникающие на краях кристалла. Применяя покрытие TaC, мы стремимся улучшить качество роста кристаллов и увеличить эффективную площадь центра кристалла, что имеет решающее значение для достижения быстрого и толстого роста.

Покрытие TaC является основным технологическим решением для выращивания высококачественного монокристалла SiC. Мы успешно разработали технологию нанесения покрытия TaC с использованием химического осаждения из паровой фазы (CVD), которая достигла передового международного уровня. TaC обладает исключительными свойствами, включая высокую температуру плавления до 3880°C, превосходную механическую прочность, твердость и стойкость к термическому удару. Он также демонстрирует хорошую химическую инертность и термическую стабильность при воздействии высоких температур и таких веществ, как аммиак, водород и кремнийсодержащий пар.

Покрытие из карбида тантала (TaC) от VeTek Semiconductor предлагает решение проблем, связанных с краями в процессе выращивания монокристаллов SiC, улучшая качество и эффективность процесса выращивания. С помощью нашей передовой технологии покрытия TaC мы стремимся поддержать развитие полупроводниковой промышленности третьего поколения и снизить зависимость от импортных ключевых материалов.

Метод PVT. Запасные части для процесса выращивания монокристаллов SiC:

Тигель с покрытием TaC, держатель затравки с покрытием TaC, направляющее кольцо с покрытием TaC являются важными деталями в монокристаллических печах SiC и AIN, изготовленных методом PVT.

Ключевой особенностью:

-Высокая термостойкость

-Высокая чистота, не загрязняет сырье SiC и монокристаллы SiC.

-Устойчив к пару Al и коррозии N₂

-Высокая эвтектическая температура (с AlN) для сокращения цикла подготовки кристаллов.

-Пригоден для вторичной переработки (до 200 часов), что повышает устойчивость и эффективность приготовления таких монокристаллов.

Характеристики покрытия TaC

Типичные физические свойства Tac Coating

Отводное кольцо с покрытием из карбида тантала Направляющее кольцо с покрытием TaC Кольцо с покрытием TaC Пластина с покрытием из карбида тантала Кусок с покрытием TaC Трубка с покрытием TaC