Сырье CVD SiC высокой чистоты

Сырье CVD SiC высокой чистоты, полученное методом CVD, является лучшим исходным материалом для выращивания кристаллов карбида кремния методом физического переноса паров. Плотность сырья CVD SiC высокой чистоты, поставляемого VeTek Semiconductor, выше, чем плотность мелких частиц, образующихся в результате самовозгорания газов, содержащих Si и C, и не требует специальной печи для спекания и имеет почти постоянную скорость испарения. Он позволяет выращивать монокристаллы SiC чрезвычайно высокого качества. С нетерпением ждем вашего запроса.

Отправить запрос

Описание продукта

VeTek Semiconductor разработал новыйМонокристаллическое сырье SiC- Сырье CVD SiC высокой чистоты. Этот продукт заполняет внутренний пробел, а также находится на лидирующем уровне в мире и будет занимать лидирующие позиции в долгосрочной перспективе. Традиционное сырье из карбида кремния производится реакцией кремния высокой чистоты играфит, которые имеют высокую стоимость, низкую чистоту и небольшой размер.

В технологии псевдоожиженного слоя VeTek Semiconductor используется метилтрихлорсилан для производства сырья из карбида кремния путем химического осаждения из паровой фазы, а основным побочным продуктом является соляная кислота. Соляная кислота может образовывать соли при нейтрализации щелочью и не загрязняет окружающую среду. В то же время метилтрихлорсилан является широко используемым промышленным газом с низкой стоимостью и широкими источниками, особенно Китай является основным производителем метилтрихлорсилана. Таким образом, сырье CVD SiC высокой чистоты VeTek Semiconductor имеет ведущую международную конкурентоспособность с точки зрения стоимости и качества. Чистота сырья CVD SiC высокой чистоты выше, чем99,9995%.

Преимущества сырья CVD SiC высокой чистоты

High purity CVD SiC raw materials

● Большой размер и высокая плотность

Средний размер частиц составляет около 4-10 мм, а размер частиц отечественного сырья Acheson составляет <2,5 мм. Тигель того же объема может вмещать более 1,5 кг сырья, что способствует решению проблемы недостаточной подачи материалов для выращивания кристаллов большого размера, облегчению графитизации сырья, уменьшению углеродной оболочки и улучшению качества кристаллов.

●Низкое соотношение Si/C

Оно ближе к 1:1, чем исходные материалы Acheson, полученные методом самораспространения, что может уменьшить дефекты, вызванные увеличением парциального давления Si.

●Высокое выходное значение

Выращенное сырье по-прежнему сохраняет прототип, уменьшает рекристаллизацию, уменьшает графитизацию сырья, уменьшает дефекты углеродной оболочки и улучшает качество кристаллов.

● Более высокая чистота

Чистота сырья, полученного методом CVD, выше, чем у сырья Ачесона саморазмножающегося метода. Содержание азота достигло 0,09 ppm без дополнительной очистки. Это сырье также может играть важную роль в области полуизоляции.

● Более низкая стоимость

Равномерная скорость испарения облегчает контроль качества процесса и продукции, одновременно улучшая коэффициент использования сырья (коэффициент использования> 50%, из 4,5 кг сырья получается 3,5 кг слитков), снижая затраты.

●Низкий уровень человеческих ошибок

Химическое осаждение из паровой фазы позволяет избежать примесей, возникающих в результате деятельности человека.

Сырье CVD SiC высокой чистоты представляет собой продукт нового поколения, используемый для заменыПорошок SiC для выращивания монокристаллов SiC. Качество выращенных монокристаллов SiC чрезвычайно высокое. В настоящее время VeTek Semiconductor полностью освоила эту технологию. И уже сейчас способна поставлять этот продукт на рынок по очень выгодной цене.

VeTek Semiconductor Цеха по производству сырья CVD SiC высокой чистоты:

SiC Coating Wafer Carrier Semiconductor process equipment CVD SiC Focus Ring SiC Single Crystal Equipment

Горячие Теги: Сырье CVD SiC высокой чистоты, Китай, Производитель, Поставщик, Фабрика, Индивидуальный, Купить, Усовершенствованный, Прочный, Сделано в Китае

Тег продукта

Связанная категория