Дом > Продукты > Покрытие из карбида кремния > Твердый карбид кремния > Процесс химического осаждения из паровой фазы Твердое кольцо из карбида кремния
Процесс химического осаждения из паровой фазы Твердое кольцо из карбида кремния

Процесс химического осаждения из паровой фазы Твердое кольцо из карбида кремния

VeTek Semiconductor является ведущим производителем и новатором кромочных колец из твердого карбида кремния в процессе химического осаждения из паровой фазы в Китае. Мы уже много лет специализируемся на полупроводниковых материалах. Кромочное кольцо из твердого карбида кремния VeTek Semiconductor обеспечивает улучшенную однородность травления и точное позиционирование пластины при использовании с электростатическим патроном. , обеспечивая стабильные и надежные результаты травления. Мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.

Отправить запрос

Описание продукта

VПроцесс химического осаждения из паровой фазы eTek Semiconductor Solid SiC Edge Ring — это передовое решение, разработанное специально для процессов сухого травления, обеспечивающее превосходную производительность и надежность. Мы хотели бы предоставить вам высококачественное кольцо из твердого SiC в процессе химического осаждения из паровой фазы.

Приложение:

Кромочное кольцо из твердого карбида кремния в процессе химического осаждения из паровой фазы используется при сухом травлении для улучшения контроля процесса и оптимизации результатов травления. Он играет решающую роль в направлении и ограничении энергии плазмы во время процесса травления, обеспечивая точное и равномерное удаление материала. Наше фокусировочное кольцо совместимо с широким спектром систем сухого травления и подходит для различных процессов травления в различных отраслях промышленности.


Сравнение материалов:


Кольцо с кромкой из твердого карбида кремния, обработанное CVD:


● Материал: Кольцо фокусировки изготовлено из твердого SiC, высокочистого и высокоэффективного керамического материала. Его производят с использованием таких методов, как высокотемпературное спекание или компактирование порошков SiC. Твердый материал SiC обеспечивает исключительную долговечность, устойчивость к высоким температурам и отличные механические свойства.

●  Преимущества: Кольцо CVD sic обеспечивает превосходную термическую стабильность, сохраняя свою структурную целостность даже в условиях высоких температур, возникающих в процессах сухого травления. Его высокая твердость обеспечивает устойчивость к механическим воздействиям и износу, что приводит к увеличению срока службы. Более того, твердый SiC обладает химической инертностью, защищая его от коррозии и сохраняя свои эксплуатационные характеристики с течением времени.

Chemical Vapor Deposition Process

CVD-покрытие SiC:


●  Материал: Покрытие SiC CVD представляет собой нанесение тонкой пленки SiC с использованием методов химического осаждения из паровой фазы (CVD). Покрытие наносится на материал подложки, такой как графит или кремний, для придания поверхности свойств SiC.

●  Сравнение: Хотя покрытия CVD SiC обладают некоторыми преимуществами, такими как конформное осаждение на сложные формы и настраиваемые свойства пленки, они могут не соответствовать прочности и характеристикам твердого SiC. Толщина покрытия, кристаллическая структура и шероховатость поверхности могут варьироваться в зависимости от параметров процесса CVD, что потенциально влияет на долговечность покрытия и общие характеристики.


Таким образом, твердое SiC-фокусировочное кольцо VeTek Semiconductor является исключительным выбором для задач сухого травления. Его твердый материал SiC обеспечивает устойчивость к высоким температурам, отличную твердость и химическую инертность, что делает его надежным и долговечным решением. В то время как покрытие CVD SiC обеспечивает гибкость при нанесении, кольцо CVD sic превосходно обеспечивает непревзойденную долговечность и производительность, необходимые для сложных процессов сухого травления.


Физические свойства твердого SiC


Физические свойства твердого SiC
Плотность 3.21 г/см3
Сопротивление электричества 102 Ом/см
изгибная прочность 590 МПа (6000кгс/см2)
Модуль Юнга 450 ГПа (6000кгс/мм2)
Твердость по Виккерсу 26 ГПа (2650кгс/мм2)
К.Т.Э.(RT-1000℃) 4.0 х10-6
Теплопроводность (RT) 250 Вт/мК


VeTek Semiconductor CVD-процесс Цех по производству кромочных колец из твердого карбида кремния

CVD Process Solid SiC Ring Production Shop


Горячие Теги: Процесс химического осаждения из паровой фазы Твердое кольцо из карбида кремния, Китай, Производитель, Поставщик, Фабрика, По индивидуальному заказу, Купить, Усовершенствованное, Прочное, Сделано в Китае
Связанная категория
Отправить запрос
Пожалуйста, не стесняйтесь дать свой запрос в форме ниже. Мы ответим вам в течение 24 часов.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept