Душевая головка CVD SiC

Вы можете быть уверены, что купите душевую насадку CVD SiC на нашем заводе. Душевая насадка VeTek Semiconductor CVD SiC изготовлена ​​из твердого карбида кремния (SiC) с использованием передовых методов химического осаждения из паровой фазы (CVD). Карбид кремния выбран из-за его исключительной теплопроводности, химической стойкости и механической прочности, что идеально подходит для крупногабаритных компонентов из карбида кремния, таких как насадка для душа CVD SiC.

Производительность и преимущества продукта:

Насадка для душа CVD SiC, разработанная для производства полупроводников, выдерживает высокие температуры и плазменную обработку. Точный контроль потока газа и превосходные свойства материала обеспечивают стабильность процессов и долгосрочную надежность. Использование CVD SiC улучшает терморегулирование и химическую стабильность, улучшая качество и производительность полупроводниковой продукции.

Удовлетворение потребностей клиентов:

Душевая насадка CVD SiC повышает эффективность эпитаксиального роста за счет равномерного распределения технологических газов и защиты камеры от загрязнения. Он эффективно решает такие проблемы производства полупроводников, как контроль температуры, химическая стабильность и согласованность процессов, предоставляя клиентам надежные решения.

Сценарии применения:

Душевая насадка CVD SiC, используемая в системах MOCVD, эпитаксии Si и эпитаксии SiC, обеспечивает производство высококачественных полупроводниковых устройств. Его решающая роль обеспечивает точный контроль и стабильность процесса, удовлетворяя разнообразные требования клиентов к высокопроизводительной и надежной продукции.

Параметры продукта душевой насадки CVD SiC:

Производственный цех