VeTek Semiconductor является профессиональным производителем и поставщиком, поставляющим высококачественный сверхчистый порошок карбида кремния для выращивания кристаллов. Обладая чистотой до 99,999% по весу и чрезвычайно низким уровнем примесей азота, бора, алюминия и других примесей, он специально разработан для улучшения полуизоляционных свойств карбида кремния высокой чистоты. Добро пожаловать, чтобы узнать и сотрудничать с нами!
Как профессиональный производитель, компания VeTek Semiconductor хотела бы предоставить вам высококачественный сверхчистый порошок карбида кремния для выращивания кристаллов.
VeTek Semiconductor специализируется на поставке сверхчистого порошка карбида кремния для выращивания кристаллов различной степени чистоты. Свяжитесь с нами сегодня, чтобы узнать больше и получить предложение. Повысьте уровень своих исследований и разработок в области полупроводников с помощью высококачественной продукции VeTek Semiconductor.
Сверхчистый порошок карбида кремния VeTek Semiconductor для выращивания кристаллов получают с использованием метода высокотемпературной твердофазной реакции с использованием порошка кремния высокой чистоты и порошка углерода высокой чистоты в качестве сырья. Обладая чистотой до 99,999% по весу и чрезвычайно низким уровнем примесей азота, бора, алюминия и других примесей, он специально разработан для улучшения полуизоляционных свойств карбида кремния высокой чистоты.
Чистота нашего порошка карбида кремния полупроводникового качества достигает впечатляющих 99,999%, что делает его отличным сырьем для производства монокристаллов карбида кремния. Что отличает наш продукт от других продуктов на рынке, так это его замечательная особенность: высокая скорость роста кристаллов. Скорость роста кристаллов, достигающая 0,2-0,3 мм/ч, существенно сокращает время роста кристаллов и снижает общие производственные затраты.
Качество порошка карбида кремния имеет решающее значение для достижения высокого выхода кристаллов и требует точных производственных процессов. Наша технология предполагает термическое разделение на разных стадиях для удаления примесей с различными свойствами, в результате чего получается полуизоляционный порошок карбида кремния высокой чистоты с низким содержанием азота. Путем дальнейшей переработки порошка в гранулы и использования методов термоциклирования мы удовлетворяем требования к размерному росту кристаллов карбида кремния. Эта технология направлена на расширение отечественных передовых исследовательских возможностей полупроводников, повышение материальной самодостаточности, борьбу с международными монополиями и снижение производственных затрат в отечественной полупроводниковой промышленности из карбида кремния, что в конечном итоге повысит ее глобальную конкурентоспособность.