Носитель пластин с CVD-покрытием TaC

В процессе производства полупроводников компания VeTek SemiconductorНоситель пластин с CVD-покрытием TaCэто поднос, используемый для хранения вафель. В этом продукте используется процесс химического осаждения из паровой фазы (CVD) для нанесения слоя покрытия TaC на поверхностьПодложка вафельного носителя. Это покрытие может значительно улучшить стойкость подложки к окислению и коррозии, одновременно уменьшая загрязнение частицами во время обработки. Это важный компонент в обработке полупроводников.

ВеТек ПолупроводникНоситель пластин с CVD-покрытием TaCсостоит из субстрата ипокрытие из карбида тантала (TaC).

Толщина покрытий из карбида тантала обычно составляет около 30 микрон, а TaC имеет температуру плавления до 3880°C, обеспечивая при этом, помимо других свойств, превосходную стойкость к коррозии и износу.

Основной материал Carrier изготовлен из графита высокой чистоты иликарбид кремния (SiC), а затем с помощью CVD-процесса на поверхность наносится слой TaC (твердость по Кнупу до 2000HK) для улучшения ее коррозионной стойкости и механической прочности.

Носитель пластины с CVD-покрытием TaC от VeTek Semiconductor обычноиграет следующие роли в процессе переноски пластин:

Загрузка и фиксация пластин: Твердость карбида тантала по Кнупу достигает 2000HK, что может эффективно обеспечить стабильную поддержку пластины в реакционной камере. В сочетании с хорошей теплопроводностью TaC (теплопроводность составляет около 21 Вт/мК) поверхность пластины нагревается равномерно и сохраняет равномерное распределение температуры, что помогает добиться равномерного роста эпитаксиального слоя.

Уменьшите загрязнение частицами: Гладкая поверхность и высокая твердость покрытий CVD TaC помогают уменьшить трение между носителем и пластиной, тем самым снижая риск загрязнения частицами, что является ключом к производству высококачественных полупроводниковых устройств.

Высокотемпературная стабильность: Во время обработки полупроводников фактическая рабочая температура обычно составляет от 1200°C до 1600°C, а температура плавления покрытий TaC достигает 3880°C. В сочетании с низким коэффициентом теплового расширения (коэффициент теплового расширения составляет примерно 6,3 × 10⁻⁶/°C) носитель может сохранять свою механическую прочность и стабильность размеров в условиях высоких температур, предотвращая растрескивание пластины или деформацию напряжения во время обработки.

Покрытие из карбида тантала (TaC) на микроскопическом поперечном сечении:

Основные физические свойства покрытия CVD TaC：