VeTek Semiconductor является ведущим производителем и новатором планетарных вращающихся дисков с покрытием из карбида тантала в Китае. Мы уже много лет специализируемся на керамических покрытиях. Наша продукция отличается высокой чистотой и устойчивостью к высоким температурам. Мы с нетерпением ждем возможности стать вашим долгосрочным партнером в области Китай.
Высококачественный планетарный вращающийся диск с покрытием из карбида тантала предлагает китайский производитель VeTek Semiconductor. КупитьПокрытие из карбида танталаПланетарный вращающийся диск высокого качества по низкой цене.
Планетарный вращающийся диск с покрытием из карбида тантала — это аксессуар, разработанный для системы AIXTRON G10 MOCVD с целью повышения эффективности и качества производства полупроводников. Планетарный вращающийся диск с покрытием из карбида тантала, изготовленный из высококачественных материалов и изготовленный с высокой точностью, обеспечивает исключительную производительность и надежность дляМеталлоорганическое химическое осаждение из паровой фазы (МОКВД) процессы.
Планетарный диск изготовлен с использованием графитовой подложки, покрытойССЗ TaC, обеспечивающий превосходную термическую стабильность, высокую чистоту и устойчивость к высоким температурам.
Планетарный диск, настраиваемый для работы с полупроводниковыми пластинами разных размеров, подходит для различных производственных требований. Его прочная конструкция специально разработана для того, чтобы выдерживать жесткие условия эксплуатации системы MOCVD, обеспечивая длительную работу и сводя к минимуму время простоя и затраты на техническое обслуживание, связанные с носителями пластин и токоприемниками.
Благодаря Планетарному дискуСистема AIXTRON G10 МОКВДможет достичь более высокой эффективности и превосходных результатов в производстве полупроводников. Его исключительная термическая стабильность, совместимость с пластинами разных размеров и надежная работа делают его важным инструментом для оптимизации эффективности производства и достижения выдающихся результатов в сложных условиях MOCVD.
Физические свойства покрытия TaC | |
Плотность | 14,3 (г/см³) |
Удельная излучательная способность | 0.3 |
Коэффициент теплового расширения | 6,3*10-6/К |
Твердость (ГК) | 2000 Гонконг |
Сопротивление | 1×10-5Ом*см |
Термическая стабильность | <2500℃ |
Изменение размера графита | -10~-20ум |
Толщина покрытия | Типичное значение ≥20 мкм (35 мкм±10 мкм) |