Пористый карбид тантала

Полупроводниковый пористый карбид тантала VeTek (TaC) — это высокоэффективный керамический материал, сочетающий в себе свойства тантала и углерода. Его пористая структура очень подходит для конкретных применений в условиях высоких температур и экстремальных условий. TaC сочетает в себе превосходную твердость, термическую стабильность и химическую стойкость, что делает его идеальным материалом для обработки полупроводников.

Пористый карбид тантала (TaC) состоит из тантала (Ta) и углерода (C), в котором тантал образует прочную химическую связь с атомами углерода, что придает материалу чрезвычайно высокую прочность и износостойкость. Пористая структура Porous TaC создается в процессе производства материала, и пористость можно контролировать в соответствии с конкретными потребностями применения. Этот продукт обычно производитсяхимическое осаждение из паровой фазы (CVD)метод, обеспечивающий точный контроль размера и распределения пор.

Молекулярная структура карбида тантала

Полупроводниковый пористый карбид тантала VeTek (TaC) имеет следующие характеристики:

●  Пористость: Пористая структура дает ему различные функции в конкретных сценариях применения, включая диффузию газа, фильтрацию или контролируемое рассеивание тепла.

●  Высокая температура плавления.: Карбид тантала имеет чрезвычайно высокую температуру плавления, около 3880°C, что подходит для работы в условиях чрезвычайно высоких температур.

●  Отличная твердость.: Пористый TaC имеет чрезвычайно высокую твердость (около 9-10 по шкале Мооса), аналогичную алмазу. и может противостоять механическому износу в экстремальных условиях.

●  Термическая стабильность: Материал карбида тантала (TaC) может оставаться стабильным в условиях высоких температур и обладает высокой термической стабильностью, что обеспечивает его стабильную работу в условиях высоких температур.

●  Высокая теплопроводность: Несмотря на свою пористость, пористый карбид тантала сохраняет хорошую теплопроводность, обеспечивая эффективную теплопередачу.

●  Низкий коэффициент теплового расширения.: Низкий коэффициент теплового расширения карбида тантала (TaC) помогает материалу оставаться стабильным по размерам при значительных колебаниях температуры и снижает воздействие термического напряжения.

Физические свойства покрытия TaC

В производстве полупроводников пористый карбид тантала (TaC) играет следующую ключевую роль:s

В высокотемпературных процессах, таких какплазменное травлениеи CVD, полупроводниковый пористый карбид тантала VeTek часто используется в качестве защитного покрытия для технологического оборудования. Это связано с сильной коррозионной стойкостьюTaC-покрытиеи его высокотемпературная стабильность. Эти свойства гарантируют, что он эффективно защищает поверхности, подвергающиеся воздействию химически активных газов или экстремальных температур, тем самым обеспечивая нормальную реакцию высокотемпературных процессов.

В диффузионных процессах пористый карбид тантала может служить эффективным диффузионным барьером, предотвращающим смешивание материалов в высокотемпературных процессах. Эта функция часто используется для контроля диффузии легирующих примесей в таких процессах, как ионная имплантация и контроль чистоты полупроводниковых пластин.

Пористая структура полупроводникового карбида тантала VeTek очень подходит для сред обработки полупроводников, требующих точного контроля или фильтрации газового потока. В этом процессе пористый TaC в основном играет роль фильтрации и распределения газа. Его химическая инертность гарантирует, что в процессе фильтрации не попадут никакие загрязнения. Это эффективно гарантирует чистоту перерабатываемого продукта.

Покрытие из карбида тантала (TaC) на микроскопическом поперечном сечении