Кольцо с покрытием TaC для эпитаксиального реактора SiC

VeTek Semiconductor - крупный производитель и новатор кольца с покрытием TaC для эпитаксиальных реакторов SiC в Китае. Мы уже много лет специализируемся на покрытиях TaC. Наша продукция отличается высокой чистотой, высокой стабильностью, отличной коррозионной стойкостью, высокой прочностью соединения. Мы выглядим с нетерпением ждем возможности стать вашим долгосрочным партнером в Китае.

Отправить запрос

Описание продукта

Представление продукта: кольцо с покрытием TaC для эпитаксиального реактора SiC

VeTek Semiconductor — известная китайская компания, известная своим опытом в производстве высококачественных покрытий TaC и SiC, а также колец с покрытием TaC высокой чистоты для эпитаксиальных реакторов SiC. Мы гордимся тем, что предлагаем продукцию превосходного качества по конкурентоспособным ценам. Мы приглашаем вас связаться с нами и открыть для себя исключительные решения, которые мы предлагаем.

Наши кольца с покрытием TaC для эпитаксиальных реакторов SiC играют решающую роль. Эти кольца являются неотъемлемой частью нашего набора в форме полумесяца и обеспечивают такие важные функции, как поддержка субстрата, точный контроль температуры, эффективная теплоизоляция, эффективная вентиляция и надежная защита. Работая слаженно, эти кольца обеспечивают тщательный контроль толщины, легирования и характеристик дефектов эпитаксиального слоя SiC, выращенного внутри реакционной камеры.

В дополнение к нашим исключительным кольцам с покрытием TaC, VeTek Semiconductor предлагает широкий ассортимент сопутствующей продукции, специально разработанной для реакционных камер. В нашу линейку продукции входят верхние и нижние полумесяцы, защитные крышки, изоляционные крышки и интерфейсы для отвода технологического воздуха. Каждый из этих компонентов подвергается тщательному покрытию SiC или TaC для повышения производительности и продления срока службы.

Параметр продукта кольца с покрытием TaC для эпитаксиального реактора SiC

Физические свойства покрытия TaC
Плотность	14,3 (г/см³)
Удельная излучательная способность	0.3
Коэффициент теплового расширения	6,3 10-6/К
Твердость (ГК)	2000 Гонконг
Сопротивление	1×10-5 Ом*см
Термическая стабильность	<2500℃
Изменение размера графита	-10~-20ум
Толщина покрытия	Типичное значение ≥20 мкм (35 мкм±10 мкм)

Цех полупроводникового производства ВеТек

Обзор производственной цепочки эпитаксии полупроводниковых чипов:

Горячие Теги: Кольцо с покрытием TaC для эпитаксиального реактора SiC, Китай, Производитель, Поставщик, Фабрика, Индивидуальный, Купить, Усовершенствованный, Прочный, Сделано в Китае

Тег продукта

Связанная категория