Дефлекторное кольцо с покрытием TaC компании VeTek Semiconductor представляет собой узкоспециализированный компонент, разработанный для процессов выращивания кристаллов SiC. Покрытие TaC обеспечивает превосходную устойчивость к высоким температурам и химическую инертность, что позволяет противостоять высоким температурам и агрессивным средам в процессе выращивания кристаллов. Это обеспечивает стабильную работу и длительный срок службы компонента, сокращая частоту замены и время простоя. Мы стремимся предоставлять качественную продукцию по конкурентоспособным ценам и надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.
VeTek Semiconductor является профессиональным производителем и поставщиком дефлекторных колец с покрытием TaC в Китае. Наше дефлекторное кольцо с покрытием TaC представляет собой узкоспециализированные компоненты, разработанные для использования в процессах выращивания кристаллов SiC. Эти компоненты имеют решающее значение в средах, где требуется высокая термостойкость, исключительная долговечность и непревзойденная химическая инертность.
Дефлекторное кольцо с покрытием TaC изготовлено из карбида тантала высокой чистоты, который обеспечивает отличную теплопроводность и исключительную устойчивость к высоким температурам и тепловому удару. Покрытие TaC компонента обеспечивает дополнительный уровень защиты от агрессивных химикатов и агрессивных сред, часто встречающихся при выращивании кристаллов. Наличие покрытия увеличивает долговечность и долговечность компонента, сохраняя стабильную производительность в течение нескольких циклов.
Отражающее кольцо с покрытием TaC выдерживает температуру до 2200°C, что делает его идеальным для высокотемпературных процессов. Отражающее кольцо с покрытием TaC в основном используется в полупроводниковой промышленности, особенно для выращивания кристаллов карбида кремния. Подходит как для исследовательских, так и для промышленных реакторов для выращивания кристаллов.
Физические свойства покрытия TaC | |
Плотность | 14,3 (г/см³) |
Удельная излучательная способность | 0.3 |
Коэффициент теплового расширения | 6,3 10-6/К |
Твердость (ГК) | 2000 Гонконг |
Сопротивление | 1×10-5 Ом*см |
Термическая стабильность | <2500℃ |
Изменение размера графита | -10~-20ум |
Толщина покрытия | Типичное значение ≥20 мкм (35 мкм±10 мкм) |