По мере развития 8-дюймового процесса карбида кремния (SiC) производители ускоряют переход от 6-дюймового к 8-дюймовому. Недавно компании ON Semiconductor и Resonac объявили об обновлении производства 8-дюймовых SiC.
Читать далееВ этой статье представлены последние разработки в области недавно разработанного CVD-реактора PE1O8 с горячими стенками итальянской компании LPE и его способности выполнять равномерную эпитаксию 4H-SiC на 200-мм SiC.
Читать далееС ростом спроса на материалы SiC в силовой электронике, оптоэлектронике и других областях разработка технологии выращивания монокристаллов SiC станет ключевым направлением научных и технологических инноваций. Проектирование теплового поля, являющееся основой оборудования для выращивания монокристалл......
Читать далееПроцесс производства чипов включает в себя фотолитографию, травление, диффузию, создание тонких пленок, ионную имплантацию, химико-механическую полировку, очистку и т. д. В этой статье примерно объясняется, как эти процессы последовательно объединяются для производства МОП-транзистора.
Читать далееОжидается, что благодаря постоянному технологическому прогрессу и углубленным исследованиям механизмов гетероэпитаксиальная технология 3C-SiC будет играть более важную роль в полупроводниковой промышленности и способствовать разработке высокоэффективных электронных устройств.
Читать далееПространственное ALD, пространственно изолированное атомно-слоевое осаждение. Пластина перемещается между разными позициями и в каждой позиции подвергается воздействию разных предшественников. На рисунке ниже показано сравнение традиционного ALD и пространственно изолированного ALD.
Читать далее