> Новости > Новости отрасли

Новости отрасли

Полупроводниковая подложка: свойства материалов кремния, GaAs, SiC и GaN.

В статье анализируются свойства материалов полупроводниковых подложек, таких как кремний, GaAs, SiC и GaN.

Технология низкотемпературной эпитаксии на основе GaN

В этой статье в основном описываются низкотемпературные эпитаксиальные технологии на основе GaN, включая кристаллическую структуру материалов на основе GaN, 3. требования к эпитаксиальной технологии и решения по реализации, преимущества низкотемпературной эпитаксиальной технологии, основанной на при......

В чем разница между CVD TaC и спеченным TaC?

В этой статье впервые представлены молекулярная структура и физические свойства TaC, а также основное внимание уделяется различиям и применению спеченного карбида тантала и карбида тантала CVD, а также популярных продуктов покрытия TaC от VeTek Semiconductor.

<...3 4 5 6 7...10 >

Новости отрасли

Полупроводниковая подложка: свойства материалов кремния, GaAs, SiC и GaN.

Технология низкотемпературной эпитаксии на основе GaN

В чем разница между CVD TaC и спеченным TaC?

Как подготовить покрытие CVD TaC?

Что такое покрытие из карбида тантала?

Почему покрытие SiC является ключевым материалом сердцевины для эпитаксиального роста SiC?