В отрасли производства полупроводников, поскольку размеры устройств продолжают уменьшаться, технология нанесения тонкопленочных материалов создает беспрецедентные проблемы. Атомное осаждение слоев (ALD) как технология нанесения тонких пленок, позволяющая обеспечить точный контроль на атомном уровне,......
Читать далееИдеально подходит для создания интегральных схем или полупроводниковых устройств на идеальном кристаллическом базовом слое. Процесс эпитаксии (эпи) в производстве полупроводников направлен на осаждение тонкого монокристаллического слоя, обычно толщиной от 0,5 до 20 микрон, на монокристаллическую под......
Читать далееОсновное отличие эпитаксии от атомно-слоевого осаждения (АЛД) заключается в механизмах роста пленок и условиях эксплуатации. Эпитаксия относится к процессу выращивания тонкой кристаллической пленки на кристаллической подложке с определенной ориентацией, сохраняющей ту же или подобную кристаллическую......
Читать далееПокрытие CVD TAC — это процесс формирования плотного и прочного покрытия на подложке (графите). Этот метод включает нанесение TaC на поверхность подложки при высоких температурах, в результате чего образуется покрытие из карбида тантала (TaC) с превосходной термической стабильностью и химической сто......
Читать далее