Как подготовить покрытие CVD TaC?

CVD-покрытие TaCявляется важным высокотемпературным конструкционным материалом с высокой прочностью, коррозионной стойкостью и хорошей химической стабильностью. Его температура плавления достигает 3880 ℃, и это одно из самых термостойких соединений. Он обладает превосходными механическими свойствами при высоких температурах, устойчивостью к эрозии при высокоскоростном воздушном потоке, стойкостью к абляции и хорошей химической и механической совместимостью с графитом и углеродно-углеродными композитными материалами.

Таким образом, вЭпитаксиальный процесс MOCVDGaNLED и силовых устройств Sic,CVD-покрытие TaCобладает превосходной устойчивостью к кислотам и щелочам к H2, HC1 и NH3, что может полностью защитить материал графитовой матрицы и очистить среду роста.

Покрытие CVD TaC по-прежнему стабильно при температуре выше 2000 ℃, а покрытие CVD TaC начинает разлагаться при 1200-1400 ℃, что также значительно улучшит целостность графитовой матрицы. Все крупные учреждения используют CVD для получения покрытия CVD TaC на графитовых подложках и будут и дальше расширять производственные мощности покрытия CVD TaC для удовлетворения потребностей силовых устройств SiC и эпитаксиального оборудования GaNLEDS.

В процессе подготовки покрытия CVD TaC в качестве материала подложки обычно используется графит высокой плотности, и получается бездефектное покрытие.CVD-покрытие TaCна поверхность графита методом CVD.

Процесс реализации метода CVD для получения покрытия CVD TaC заключается в следующем: твердый источник тантала, помещенный в испарительную камеру, сублимируется в газ при определенной температуре и транспортируется из испарительной камеры с определенной скоростью потока газа-носителя Ar. При определенной температуре газообразный источник тантала встречается и смешивается с водородом, в результате чего происходит реакция восстановления. Наконец, восстановленный элемент тантала осаждается на поверхность графитовой подложки в камере осаждения, и при определенной температуре происходит реакция карбонизации.

Параметры процесса, такие как температура испарения, скорость потока газа и температура осаждения в процессе нанесения покрытия CVD TaC, играют очень важную роль в формированииCVD-покрытие TaC.

CVD-покрытие TaC смешанной ориентации было получено методом изотермического химического осаждения из газовой фазы при температуре 1800°C с использованием системы TaCl5–H2–Ar–C3H6.

На рисунке 1 показана конфигурация реактора химического осаждения из паровой фазы (CVD) и системы подачи попутного газа для осаждения TaC.

На рис. 2 показана морфология поверхности покрытия CVD TaC при различных увеличениях, демонстрирующая плотность покрытия и морфологию зерен.

На рис. 3 показана морфология поверхности покрытия CVD TaC после абляции в центральной области, включая размытые границы зерен и образовавшиеся на поверхности жидкие расплавленные оксиды.

На рис. 4 показаны рентгенограммы CVD-покрытия TaC на различных участках после абляции с анализом фазового состава продуктов абляции, которыми в основном являются β-Ta2O5 и α-Ta2O5.