Что такое покрытие из карбида тантала?

Керамический материал из карбида тантала (TaC) имеет температуру плавления до 3880 ℃ и представляет собой соединение с высокой температурой плавления и хорошей химической стабильностью. Он может поддерживать стабильную работу в условиях высоких температур. Кроме того, он также обладает высокой термостойкостью, стойкостью к химической коррозии и хорошей химической и механической совместимостью с углеродными материалами, что делает его идеальным материалом для защитного покрытия графитовой подложки. 

Покрытие из карбида тантала может эффективно защитить графитовые детали от воздействия горячего аммиака, водорода, паров кремния и расплавленного металла в суровых условиях эксплуатации, значительно продлевая срок службы графитовых деталей и подавляя миграцию примесей в графите, обеспечивая качествоэпитаксиальныйирост кристаллов.

Рисунок 1. Распространенные компоненты с покрытием из карбида тантала

Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) является наиболее зрелым и оптимальным методом получения покрытий TaC на графитовых поверхностях.

Используя TaCl5 и пропилен в качестве источников углерода и тантала соответственно, а также аргон в качестве газа-носителя, высокотемпературный испаренный пар TaCl5 вводится в реакционную камеру. При заданных температуре и давлении пары материала-прекурсора адсорбируются на поверхности графита, претерпевая ряд сложных химических реакций, таких как разложение и сочетание источников углерода и тантала, а также ряд поверхностных реакций, таких как диффузия и десорбция побочные продукты предшественника. Наконец, на поверхности графита образуется плотный защитный слой, который предохраняет графит от стабильного существования в экстремальных условиях окружающей среды и существенно расширяет сценарии применения графитовых материалов.

Рисунок 2.Принцип процесса химического осаждения из паровой фазы (CVD)

ВеТек Полупроводникв основном поставляет изделия из карбида тантала: направляющее кольцо TaC, трехлепестковое кольцо с покрытием TaC, тигель с покрытием TaC, пористый графит с покрытием TaC широко используется в процессе роста кристаллов SiC; пористый графит с покрытием TaC, направляющее кольцо с покрытием TaC, графитовый носитель с покрытием TaC, Датчики с покрытием TaC, планетарные датчики, сателлитные датчики с покрытием TaC. Эти продукты с покрытием из карбида тантала широко используются вПроцесс эпитаксии SiCиПроцесс выращивания монокристалла SiC.

Рисунок 3.ВеТСамые популярные продукты с покрытиями из карбида тантала от ek Semiconductor