При выращивании монокристаллов SiC и AlN с использованием метода физического переноса пара (PVT) жизненно важную роль играют такие важные компоненты, как тигель, держатель затравки и направляющее кольцо. Как показано на рисунке 2 [1], во время процесса PVT затравочный кристалл располагается в област......
Читать далееПодложки из карбида кремния имеют множество дефектов и не поддаются непосредственной обработке. Для изготовления пластин-чипов на них необходимо вырастить специальную тонкую монокристаллическую пленку посредством эпитаксиального процесса. Эта тонкая пленка является эпитаксиальным слоем. Практически ......
Читать далееМатериалом эпитаксиального слоя карбида кремния является карбид кремния, который обычно используется для изготовления мощных электронных устройств и светодиодов. Он широко используется в полупроводниковой промышленности благодаря своей превосходной термической стабильности, механической прочности и ......
Читать далееТвердый карбид кремния обладает превосходными свойствами, такими как высокая температурная стабильность, высокая твердость, хорошая стойкость к истиранию и хорошая химическая стабильность, поэтому он имеет широкий спектр применения. Ниже приведены некоторые применения твердого карбида кремния:
Читать далее