VeTek Semiconductor является ведущим производителем и новатором покрытий с покрытием из карбида тантала в Китае. Мы уже много лет специализируемся на покрытиях TaC и SiC. Наша продукция обладает коррозионной стойкостью и высокой прочностью. Мы с нетерпением ждем возможности стать вашим долгосрочным партнером в Китае.
Найдите огромный выбор покрытий с покрытием из карбида тантала из Китая на сайте VeTek Semiconductor. Обеспечьте профессиональное послепродажное обслуживание и разумную цену, с нетерпением ждем сотрудничества. Крышка с покрытием из карбида тантала, разработанная VeTek Semiconductor, представляет собой аксессуар, специально разработанный для системы AIXTRON G10 MOCVD с целью оптимизации эффективности и повышения качества производства полупроводников. Он тщательно изготовлен с использованием высококачественных материалов и изготовлен с предельной точностью, что обеспечивает выдающуюся производительность и надежность в процессах химического осаждения металлов и органических соединений (MOCVD).
Изготовленная из графитовой подложки, покрытой карбидом тантала (TaC) методом химического осаждения из паровой фазы (CVD), крышка с покрытием из карбида тантала обеспечивает исключительную термическую стабильность, высокую чистоту и устойчивость к повышенным температурам. Эта уникальная комбинация материалов обеспечивает надежное решение для сложных условий эксплуатации системы MOCVD.
Крышка с покрытием из карбида тантала может быть адаптирована к полупроводниковым пластинам различных размеров, что делает ее подходящей для разнообразных производственных требований. Его прочная конструкция специально разработана для работы в сложных условиях MOCVD, обеспечивая длительную работу и сводя к минимуму время простоя и затраты на техническое обслуживание, связанные с носителями пластин и токоприемниками.
Включив покрытие TaC в систему AIXTRON G10 MOCVD, производители полупроводников могут добиться более высокой эффективности и превосходных результатов. Исключительная термическая стабильность, совместимость с пластинами разных размеров и надежная работа планетарного диска делают его незаменимым инструментом для оптимизации эффективности производства и достижения выдающихся результатов в процессе MOCVD.
Физические свойства покрытия TaC | |
Плотность | 14,3 (г/см³) |
Удельная излучательная способность | 0.3 |
Коэффициент теплового расширения | 6,3 10-6/К |
Твердость (ГК) | 2000 Гонконг |
Сопротивление | 1×10-5Ом*см |
Термическая стабильность | <2500℃ |
Изменение размера графита | -10~-20ум |
Толщина покрытия | Типичное значение ≥20 мкм (35 мкм±10 мкм) |