Датчик покрытия TaC

VeTek Semiconductor представляет датчик с покрытием TaC. Благодаря своему исключительному покрытию TaC этот токоприемник предлагает множество преимуществ, которые отличают его от традиционных решений. Легко интегрируясь в существующие системы, датчик с покрытием TaC от VeTek Semiconductor гарантирует совместимость и эффективную работу. Его надежная работа и высококачественное покрытие TaC неизменно обеспечивают исключительные результаты в процессах эпитаксии SiC. Мы стремимся предоставлять качественную продукцию по конкурентоспособным ценам и надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.

Отправить запрос

Описание продукта

Токоприемник и кольцо VeTek Semiconductor с покрытием TaC работают вместе в реакторе эпитаксиального выращивания карбида кремния LPE:

Устойчивость к высоким температурам: токоприемник с покрытием TaC обладает превосходной устойчивостью к высоким температурам и способен выдерживать экстремальные температуры до 1500°C в реакторе LPE. Это гарантирует, что оборудование и компоненты не деформируются и не повреждаются в ходе длительной эксплуатации.

Химическая стабильность: токоприемник с покрытием TaC исключительно хорошо работает в агрессивной среде роста карбида кремния, эффективно защищая компоненты реактора от коррозионного химического воздействия, тем самым продлевая срок их службы.

Термическая стабильность: Токоприемник с покрытием TaC обладает хорошей термической стабильностью, сохраняя морфологию и шероховатость поверхности, обеспечивая однородность температурного поля в реакторе, что способствует высококачественному росту эпитаксиальных слоев карбида кремния.

Защита от загрязнений: гладкая поверхность с покрытием TaC и превосходные характеристики TPD (десорбция с программируемой температурой) могут свести к минимуму накопление и адсорбцию частиц и примесей внутри реактора, предотвращая загрязнение эпитаксиальных слоев.

Таким образом, токоприемник и кольцо с покрытием TaC играют решающую защитную роль в реакторе эпитаксиального выращивания карбида кремния LPE, обеспечивая долгосрочную стабильную работу оборудования и высококачественный рост эпитаксиальных слоев.

Параметр продукта датчика покрытия TaC:

Физические свойства покрытия TaC
Плотность	14,3 (г/см³)
Удельная излучательная способность	0.3
Коэффициент теплового расширения	6,3 10-6/К
Твердость (ГК)	2000 Гонконг
Сопротивление	1×10-5 Ом*см
Термическая стабильность	<2500℃
Изменение размера графита	-10~-20ум
Толщина покрытия	Типичное значение ≥20 мкм (35 мкм±10 мкм)