Патрон с покрытием TaC

Патрон для нанесения покрытия TaC от VeTek Semiconductor — идеальное решение для достижения исключительных результатов в процессе SiC EPI. Благодаря покрытию TaC, устойчивости к высоким температурам и химической инертности наш продукт позволяет вам производить высококачественные кристаллы с точностью и надежностью. Обращайтесь к нам.

TaC (карбид тантала) — это материал, обычно используемый для покрытия поверхности внутренних частей эпитаксиального оборудования. Он имеет следующие характеристики:

Превосходная устойчивость к высоким температурам: покрытия TaC выдерживают температуру до 2200°C, что делает их идеальными для применения в высокотемпературных средах, таких как эпитаксиальные реакционные камеры.

Высокая твердость: твердость TaC достигает около 3000-4000 HV, что намного тверже, чем у обычно используемой нержавеющей стали или алюминиевого сплава, что позволяет эффективно предотвращать поверхностный износ.

Высокая химическая стабильность: покрытие TaC хорошо работает в химически агрессивных средах и может значительно продлить срок службы компонентов эпитаксиального оборудования.

Хорошая электропроводность: покрытие TaC обладает хорошей электропроводностью, что способствует снятию электростатического заряда и теплопроводности.

Эти свойства делают покрытие TaC идеальным материалом для изготовления критически важных деталей, таких как внутренние втулки, стенки реакционной камеры и нагревательные элементы для эпитаксиального оборудования. Покрывая эти компоненты TaC, можно улучшить общую производительность и срок службы эпитаксиального оборудования.

Для эпитаксии карбида кремния кусок покрытия TaC также может играть важную роль. Поверхность покрытия TaC гладкая и плотная, что способствует образованию высококачественных пленок карбида кремния. В то же время отличная теплопроводность TaC может помочь улучшить равномерность распределения температуры внутри оборудования, тем самым повышая точность контроля температуры эпитаксиального процесса и, в конечном итоге, обеспечивая более качественный рост эпитаксиального слоя карбида кремния.

Параметры продукта куска покрытия TaC:

Производственная цепочка:

Производственный цех