Патрон с покрытием TaC

Патрон для нанесения покрытия TaC от VeTek Semiconductor — идеальное решение для достижения исключительных результатов в процессе SiC EPI. Благодаря покрытию TaC, устойчивости к высоким температурам и химической инертности наш продукт позволяет вам производить высококачественные кристаллы с точностью и надежностью. Добро пожаловать к нам.

TaC (карбид тантала) — это материал, обычно используемый для покрытия поверхности внутренних частей эпитаксиального оборудования. Он имеет следующие характеристики:

● Отличная устойчивость к высоким температурам: Покрытия TaC выдерживают температуру до 2200°C, что делает их идеальными для применения в высокотемпературных средах, таких как эпитаксиальные реакционные камеры.

● Высокая твердость: Твердость TaC достигает около 2000 HK, что намного тверже, чем у обычно используемой нержавеющей стали или алюминиевого сплава, что позволяет эффективно предотвращать поверхностный износ.

● Высокая химическая стабильность: покрытие TaC хорошо работает в химически агрессивных средах и может значительно продлить срок службы компонентов эпитаксиального оборудования.

● Хорошая электропроводность: Покрытие TaC обладает хорошей электропроводностью, что способствует снятию электростатического заряда и теплопроводности.

Эти свойства делают покрытие TaC идеальным материалом для изготовления критически важных деталей, таких как внутренние втулки, стенки реакционной камеры и нагревательные элементы для эпитаксиального оборудования. Покрытие этих компонентов TaC позволяет улучшить общую производительность и срок службы эпитаксиального оборудования.

Для эпитаксии карбида кремния кусок покрытия TaC также может играть важную роль. Поверхность ТаС покрытие получается гладким и плотным, что способствует образованию качественных пленок карбида кремния. В то же время отличная теплопроводность TaC может помочь улучшить однородность распределения температуры внутри оборудования, тем самым повышая точность контроля температуры эпитаксиального процесса и, в конечном итоге, обеспечивая более качественный рост эпитаксиального слоя карбида кремния.