Китай Кремниевая эпитаксия Производитель,Поставщик,Завод

Кремниевая эпитаксия, EPI, Epitaxy, Epitaxis относится к выращиванию слоя кристаллов с одинаковым направлением кристаллов и разной толщиной кристаллов на монокристаллической кремниевой подложке. Технология эпитаксиального выращивания необходима для производства полупроводниковых дискретных компонентов и интегральных схем, поскольку в полупроводниках содержатся примеси N-типа и P-типа. Благодаря сочетанию различных типов полупроводниковые устройства выполняют множество функций.

Метод роста кремниевой эпитаксии можно разделить на газофазную эпитаксию, жидкофазную эпитаксию (ЖФЭ), твердофазную эпитаксию и метод химического осаждения из паровой фазы, который широко используется в мире для обеспечения целостности решетки.

Типичное кремниевое эпитаксиальное оборудование представлено итальянской компанией LPE, у которой есть блинные эпитаксиальные гипнотические торцы, гипнотические торцы бочкообразного типа, полупроводниковые гипнотические гипнотики, подложки для пластин и т.д. Принципиальная схема эпитаксиальной реакционной камеры гипелектора бочкообразной формы выглядит следующим образом. VeTek Semiconductor может предоставить эпитаксиальный гипелектор на пластинах бочкообразной формы. Качество пелектора HY с покрытием SiC очень высокое. Качество, эквивалентное SGL; В то же время VeTek Semiconductor также может предоставить кварцевые насадки для эпитаксиальной реакционной полости кремния, кварцевые перегородки, колпаки и другие комплектные изделия.

Вертикальный эпитаксиальный суцептор для кремниевой эпитаксии:

Кремниевый эпитаксиальный суцептор Вафельный токоприемник цилиндрического типа Полупроводниковый приемник Токоприемник с покрытием SiC

Горизонтальный эпитаксиальный суцептор для эпитаксии кремния:

Если эпитаксиальный приемник Блинница Токоприемник с покрытием SiC