Набор рецепторов LPE SI EPI

VeTek Semiconductor является ведущим производителем и новатором комплектов токоприемников LPE Si Epi в Китае. Мы уже много лет специализируемся на покрытиях SiC и покрытиях TaC. Мы предлагаем комплект токоприемников LPE Si Epi, разработанный специально для 4-дюймовых пластин LPE PE2061S. Степень соответствия графитового материала и покрытия SiC хорошая, однородность отличная, а срок службы длительный, что может повысить производительность роста эпитаксиального слоя во время процесса LPE (жидкофазная эпитаксия). Мы приглашаем вас посетить наш завод в г. Китай.

Отправить запрос

Описание продукта

VeTek Semiconductor является профессиональным производителем и поставщиком комплекта токоприемников LPE Si EPI в Китае.

Благодаря хорошему качеству и конкурентоспособной цене, добро пожаловать на нашу фабрику и наладьте долгосрочное сотрудничество с нами.

Набор токоприемников VeTeK Semiconductor LPE Si Epi представляет собой высокопроизводительный продукт, созданный путем нанесения тонкого слоя карбида кремния на поверхность высокоочищенного изотропного графита. Это достигается за счет запатентованного процесса химического осаждения из паровой фазы (CVD) VeTeK Semiconductor.

Набор LPE Si Epi Susceptor от VeTek Semiconductor представляет собой цилиндрический реактор для эпитаксиального осаждения методом CVD, предназначенный для надежной работы даже в сложных условиях. Превосходная адгезия покрытия, устойчивость к высокотемпературному окислению и коррозии делают его идеальным выбором для суровых условий эксплуатации. Более того, его равномерный термический профиль и ламинарный характер потока газа предотвращают загрязнение, обеспечивая рост высококачественных эпитаксиальных слоев.

Бочкообразная конструкция нашего полупроводникового эпитаксиального реактора оптимизирует поток газа, обеспечивая равномерное распределение тепла. Эта функция эффективно предотвращает загрязнение и диффузию примесей, гарантируя получение высококачественных эпитаксиальных слоев на подложках пластин.

В VeTek Semiconductor мы стремимся предоставлять клиентам высококачественную и экономически эффективную продукцию. Наш набор токоприемников LPE Si Epi предлагает конкурентоспособные цены, сохраняя при этом превосходную плотность как графитовой подложки, так и покрытия из карбида кремния. Такое сочетание обеспечивает надежную защиту в высокотемпературных и агрессивных рабочих средах.

Основные физические свойства покрытия CVD SiC:

Основные физические свойства покрытия CVD SiC
Свойство	Типичное значение
Кристальная структура	FCC β-фаза поликристаллическая, преимущественно (111) ориентированная
Плотность	3,21 г/см³
Твердость	Твердость 2500 по Виккерсу (нагрузка 500 г)
Размер зерна	2~10 мкм
Химическая чистота	99,99995%
Теплоемкость	640 Дж·кг-1·К-1
Температура сублимации	2700℃
Предел прочности при изгибе	415 МПа РТ 4-точечный
Модуль для младших	Изгиб 430 ГПа, 4 точки, 1300 ℃
Теплопроводность	300Вт·м-1·К-1
Тепловое расширение (КТР)	4,5×10-6К-1

Цех полупроводникового производства ВеТек

Обзор производственной цепочки эпитаксии полупроводниковых чипов:

Горячие Теги: Комплект токоприемников LPE SI EPI, Китай, Производитель, Поставщик, Фабрика, Индивидуальные, Купить, Расширенные, Прочные, Сделано в Китае

Тег продукта

Связанная категория