Если приемник EPI

Ниже приводится информация о высококачественном Si Epi Susceptor, которая поможет вам лучше понять Si Epi Susceptor бочкового типа. Приветствуем новых и старых клиентов, которые продолжат сотрудничать с нами, чтобы создать лучшее будущее!

Эпитаксиальный реактор — это специализированное устройство, используемое для эпитаксиального выращивания в производстве полупроводников. Si Epi Susceptor цилиндрического типа обеспечивает среду, которая контролирует температуру, атмосферу и другие ключевые параметры для нанесения новых кристаллических слоев на поверхность пластины.

Основным преимуществом Si Epi Susceptor бочкового типа является его способность обрабатывать несколько чипов одновременно, что повышает эффективность производства. Обычно он имеет несколько креплений или зажимов для удержания нескольких пластин, чтобы можно было выращивать несколько пластин одновременно в одном и том же цикле роста. Эта функция высокой производительности сокращает производственные циклы и затраты, а также повышает эффективность производства.

Кроме того, Si Epi Susceptor цилиндрического типа обеспечивает оптимизированный контроль температуры и атмосферы. Он оснащен усовершенствованной системой контроля температуры, которая способна точно контролировать и поддерживать желаемую температуру роста. В то же время он обеспечивает хороший контроль атмосферы, гарантируя, что каждый чип будет выращиваться в одинаковых условиях атмосферы. Это помогает добиться равномерного роста эпитаксиального слоя и улучшить качество и консистенцию эпитаксиального слоя.

В Si Epi Susceptor цилиндрического типа чип обычно обеспечивает равномерное распределение температуры и передачу тепла посредством потока воздуха или потока жидкости. Такое равномерное распределение температуры помогает избежать образования горячих точек и температурных градиентов, тем самым улучшая однородность эпитаксиального слоя.

Еще одним преимуществом является то, что Si Epi Susceptor бочкового типа обеспечивает гибкость и масштабируемость. Его можно настроить и оптимизировать для различных эпитаксиальных материалов, размеров чипов и параметров роста. Это позволяет исследователям и инженерам быстро разрабатывать и оптимизировать процессы для удовлетворения потребностей эпитаксиального выращивания в различных приложениях и требованиях.

Основные физические свойства покрытия CVD SiC:

Цех полупроводникового производства ВеТек

Обзор производственной цепочки эпитаксии полупроводниковых чипов: