Эпи-рецептор, покрытый карбидом кремния

Вы можете быть уверены, что купите эписунсцептор с покрытием SiC на нашем заводе.

Эпитаксиальный цилиндр VeTek Semiconductor с SiC-покрытием представляет собой специальный инструмент для процесса эпитаксиального выращивания полупроводников, обладающий множеством преимуществ:

Эффективная производственная мощность: эпитаксиальный токоприемник с покрытием SiC может вмещать несколько пластин, что позволяет выполнять эпитаксиальный рост нескольких пластин одновременно. Эта эффективная производственная мощность может значительно повысить эффективность производства и сократить производственные циклы и затраты.

Оптимизированный контроль температуры: Эпи-суцептор с покрытием SiC оснащен усовершенствованной системой контроля температуры для точного контроля и поддержания желаемой температуры роста. Стабильный контроль температуры помогает добиться равномерного роста эпитаксиального слоя и улучшить качество и консистенцию эпитаксиального слоя.

Равномерное распределение атмосферы: Эпи-приемник с покрытием SiC обеспечивает равномерное распределение атмосферы во время роста, гарантируя, что каждая пластина подвергается воздействию одинаковых атмосферных условий. Это помогает избежать различий в росте между пластинами и улучшает однородность эпитаксиального слоя.

Эффективный контроль примесей: конструкция Epi Susceptor с покрытием SiC помогает уменьшить проникновение и диффузию примесей. Он может обеспечить хорошую герметизацию и контроль атмосферы, уменьшить влияние примесей на качество эпитаксиального слоя и, таким образом, улучшить производительность и надежность устройства.

Гибкая разработка процесса: Эпи-сусицептор с покрытием SiC обладает гибкими возможностями разработки процесса, которые позволяют быстро регулировать и оптимизировать параметры роста. Это позволяет исследователям и инженерам быстро разрабатывать и оптимизировать процессы для удовлетворения потребностей эпитаксиального выращивания в различных приложениях и требованиях.

Основные физические свойства покрытия CVD SiC:

Цех полупроводникового производства ВеТек

Обзор производственной цепочки эпитаксии полупроводниковых чипов: