Что такое покрытие CVD TAC?

Как всем нам известно,ТаСимеет температуру плавления до 3880°С, высокую механическую прочность, твердость, термостойкость; хорошая химическая инертность и термическая устойчивость к аммиаку, водороду, кремнийсодержащим парам при высоких температурах.

CVD-покрытие TAC, химическое осаждение из паровой фазы (CVD)покрытие из карбида тантала (TaC), представляет собой процесс формирования высокоплотного и прочного покрытия на подложке (обычно графите). Этот метод включает нанесение TaC на поверхность подложки при высоких температурах, в результате чего получается покрытие с превосходной термической стабильностью и химической стойкостью.

К основным преимуществам покрытий CVD TaC относятся:

Чрезвычайно высокая термическая стабильность: выдерживает температуру свыше 2200°C.

Химическая стойкость: может эффективно противостоять агрессивным химическим веществам, таким как водород, аммиак и пары кремния.

Сильная адгезия: обеспечивает длительную защиту без расслаивания.

Высокая чистота: минимизирует примеси, что делает его идеальным для полупроводниковых применений.

Эти покрытия особенно подходят для сред, требующих высокой долговечности и устойчивости к экстремальным условиям, таких как производство полупроводников и высокотемпературные промышленные процессы.

В промышленном производстве графитовые (углерод-углеродные композитные) материалы, покрытые покрытием TaC, с большой вероятностью заменят традиционный графит высокой чистоты, покрытие PBN, детали с покрытием SiC и т. д. Кроме того, в области аэрокосмической промышленности TaC имеет большой потенциал для может использоваться в качестве высокотемпературного антиокислительного и антиабляционного покрытия и имеет широкие перспективы применения. Однако остается еще много проблем, связанных с получением плотного, однородного, неотслаивающегося покрытия TaC на поверхности графита и продвижением промышленного массового производства.

В этом процессе изучение защитного механизма покрытия, инновации в производственном процессе и конкуренция с лучшим зарубежным уровнем имеют решающее значение для роста и эпитаксии полупроводниковых кристаллов третьего поколения.