> Новости > Новости отрасли

Новости отрасли

Сообщается, что китайские компании совместно с Broadcom разрабатывают 5-нм чипы!

Согласно зарубежным новостям, 24 июня два источника сообщили, что ByteDance работает с американской компанией по разработке микросхем Broadcom над разработкой передового вычислительного процессора с искусственным интеллектом (ИИ), который поможет ByteDance обеспечить адекватные поставки высокопроизв......

Sanan Optoelectronics Co., Ltd.: Ожидается, что 8-дюймовые чипы SiC будут запущены в производство в декабре!

Компания Sanan Optoelectronics, являющаяся ведущим производителем в отрасли SiC, привлекла широкое внимание в отрасли. Недавно Sanan Optoelectronics раскрыла ряд последних разработок, включая 8-дюймовую трансформацию, производство новых фабрик по производству подложек, создание новых компаний, госуд......

Применение графитовых деталей с покрытием TaC в монокристаллических печах

При выращивании монокристаллов SiC и AlN с использованием метода физического переноса пара (PVT) жизненно важную роль играют такие важные компоненты, как тигель, держатель затравки и направляющее кольцо. Как показано на рисунке 2 [1], во время процесса PVT затравочный кристалл располагается в област......

Различные технические решения печи для эпитаксиального выращивания SiC

Подложки из карбида кремния имеют множество дефектов и не поддаются непосредственной обработке. Для изготовления пластин-чипов на них необходимо вырастить специальную тонкую монокристаллическую пленку посредством эпитаксиального процесса. Эта тонкая пленка является эпитаксиальным слоем. Практически ......

Материал эпитаксии карбида кремния

Материалом эпитаксиального слоя карбида кремния является карбид кремния, который обычно используется для изготовления мощных электронных устройств и светодиодов. Он широко используется в полупроводниковой промышленности благодаря своей превосходной термической стабильности, механической прочности и ......

Характеристики эпитаксии кремния

Высокая чистота: эпитаксиальный слой кремния, выращенный методом химического осаждения из паровой фазы (CVD), имеет чрезвычайно высокую чистоту, лучшую плоскостность поверхности и меньшую плотность дефектов, чем традиционные пластины.

<...6 7 8 9 10 >