Дом > Продукты > Покрытие из карбида тантала > Процесс эпитаксии SiC > Трехлепестковое направляющее кольцо с CVD-покрытием TaC
Трехлепестковое направляющее кольцо с CVD-покрытием TaC
  • Трехлепестковое направляющее кольцо с CVD-покрытием TaCТрехлепестковое направляющее кольцо с CVD-покрытием TaC

Трехлепестковое направляющее кольцо с CVD-покрытием TaC

VeTek Semiconductor имеет многолетний опыт технологических разработок и освоила ведущую технологию нанесения покрытия CVD TaC. Трехлепестковое направляющее кольцо с CVD-покрытием TaC является одним из наиболее зрелых продуктов VeTek Semiconductor с покрытием CVD TaC и важным компонентом для получения кристаллов SiC методом PVT. Я уверен, что с помощью VeTek Semiconductor производство кристаллов SiC станет более плавным и эффективным.

Отправить запрос

Описание продукта

Монокристаллический материал подложки из карбида кремния представляет собой разновидность кристаллического материала, который относится к широкозонным полупроводниковым материалам. Он обладает такими преимуществами, как устойчивость к высокому напряжению, устойчивость к высоким температурам, высокая частота, низкие потери и т. д. Это основной материал для изготовления мощных электронных устройств и микроволновых радиочастотных устройств. В настоящее время основными методами выращивания кристаллов SiC являются физический перенос паров (метод PVT), высокотемпературное химическое осаждение из паровой фазы (метод HTCVD), метод жидкой фазы и др.


Working diagram of CVD TaC coated three-petal guide ring

Метод PVT — относительно зрелый метод, который больше подходит для промышленного массового производства. Помещая затравочный кристалл SiC в верхнюю часть тигля и помещая порошок SiC в качестве сырья в нижнюю часть тигля, в закрытой среде с высокой температурой и низким давлением порошок SiC сублимируется и переносится вверх в окрестности. затравочного кристалла под действием градиента температуры и разницы концентраций и рекристаллизуется после достижения пересыщенного состояния, можно достичь контролируемого роста размера кристаллов SiC и определенного типа кристаллов.


Основная функция трехлепесткового направляющего кольца с CVD-покрытием TaC заключается в улучшении механики жидкости, направлении потока газа и создании однородной атмосферы в зоне роста кристаллов. Он также эффективно рассеивает тепло и поддерживает температурный градиент во время роста кристаллов SiC, тем самым оптимизируя условия роста кристаллов SiC и избегая дефектов кристаллов, вызванных неравномерным распределением температуры.



Отличные характеристики покрытия CVD TaC

 Сверхвысокая чистотаПредотвращает образование примесей и загрязнений.

 Высокая температурная стабильностьВысокая температурная стабильность выше 2500°C позволяет работать при сверхвысоких температурах.

 Толерантность к химической средеУстойчивость к H(2), NH(3), SiH(4) и Si, обеспечивает защиту в агрессивных химических средах.

 Долгая жизнь без выпаденияПрочная связь с графитовым корпусом может обеспечить длительный срок службы без потери внутреннего покрытия.

 Устойчивость к термическому ударуУстойчивость к термическому удару ускоряет рабочий цикл.

 ●Строгий размерный допускОбеспечивает соответствие покрытия строгим допускам по размерам.


VeTek Semiconductor располагает профессиональной и опытной командой технической поддержки и командой продаж, которая может адаптировать для вас наиболее подходящие продукты и решения. VeTek Semiconductor всегда стремится предоставить вам наиболее полные и комплексные услуги, от предпродажной до послепродажной подготовки.


Физические свойства покрытия TaC

Физические свойства покрытия TaC
Плотность покрытия TaC
14,3 (г/см³)
Удельная излучательная способность
0.3
Коэффициент теплового расширения
6,3 10-6
Покрытие TaC Твердость (HK)
2000 Гонконг
Сопротивление
1×10-5Ом*см
Термическая стабильность
<2500℃
Изменение размера графита
-10~-20ум
Толщина покрытия
Типичное значение ≥20 мкм (35 мкм±10 мкм)
Теплопроводность
9-22(Вт/м·К)

Магазины товаров с трехлепестковыми направляющими кольцами VeTek Semiconductor CVD TaC с покрытием

SiC Graphite substrateCVD TaC coated three-petal guide ring testSilicon carbide ceramic processingSemiconductor process equipment


Горячие Теги: Трехлепестковое направляющее кольцо с CVD-покрытием TaC, Китай, Производитель, Поставщик, Фабрика, По индивидуальному заказу, Купить, Расширенное, Прочное, Сделано в Китае
Связанная категория
Отправить запрос
Пожалуйста, не стесняйтесь дать свой запрос в форме ниже. Мы ответим вам в течение 24 часов.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept