CVD SiC блинный токоприемник

Превосходные физические свойства

ВеТек Полупроводник CVD SiC Pancake Susceptor изготовлен с использованием новейшей технологии химического осаждения из паровой фазы (CVD), обеспечивающей превосходную долговечность и адаптируемость к экстремальным температурам. Вот его основные физические свойства:

● Термическая стабильность: Высокая термическая стабильность CVD SiC обеспечивает стабильную работу в условиях высоких температур.

● Низкий коэффициент теплового расширения: Материал имеет чрезвычайно низкий коэффициент теплового расширения, что сводит к минимуму коробление и деформацию, вызванные перепадами температур.

● Химическая коррозионная стойкость: Превосходная химическая стойкость позволяет сохранять высокие характеристики в различных суровых условиях.

Точная поддержка и оптимизированная теплопередача

Покрытие VeTekSemi на основе SiC Pancake Susceptor предназначено для размещения полупроводниковых пластин и обеспечивает превосходную поддержку во время эпитаксиального осаждения. SiC Pancake Susceptor разработан с использованием передовой технологии компьютерного моделирования, чтобы минимизировать коробление и деформацию при различных условиях температуры и давления. Его типичный коэффициент теплового расширения составляет около 4,0 × 10 ^.^-6/°C, что означает, что его размерная стабильность значительно лучше, чем у традиционных материалов в высокотемпературных средах, что обеспечивает постоянство толщины пластин (обычно от 200 до 300 мм).

Кроме того, CVD Pancake Susceptor превосходно передает тепло: его теплопроводность достигает 120 Вт/м·К. Эта высокая теплопроводность может быстро и эффективно проводить тепло, повышать однородность температуры внутри печи, обеспечивать равномерное распределение тепла во время эпитаксиального осаждения и уменьшать дефекты осаждения, вызванные неравномерным нагревом. Оптимизация теплопередачи имеет решающее значение для улучшения качества осаждения, что может эффективно снизить колебания процесса и повысить выход продукции.

Благодаря оптимизации конструкции и производительности, CVD SiC Pancake Susceptor VeTek Semiconductor обеспечивает прочную основу для производства полупроводников, обеспечивая надежность и стабильность в суровых условиях обработки и отвечая строгим требованиям современной полупроводниковой промышленности к высокой точности и качеству.

КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА ПЛЕНКИ CVD SIC

Основные физические свойства покрытия CVD SiC

Основные физические свойства покрытия CVD SiC
Свойство	Типичное значение
Кристаллическая структура	FCC β-фаза поликристаллическая, преимущественно (111) ориентированная
Плотность	3,21 г/см³
Твердость	Твердость 2500 по Виккерсу (нагрузка 500 г)
Размер зерна	2~10 мкм
Химическая чистота	99,99995%
Теплоемкость	640 Дж·кг-1·К-1
Температура сублимации	2700℃
изгибная прочность	415 МПа РТ 4-точечный
Модуль Юнга	Изгиб 430 ГПа, 4 точки, 1300 ℃
Теплопроводность	300 Вт·м-1·К-1
Тепловое расширение (КТР)	4,5×10-6K-1