Эпитаксиальный токоприемник GaN на основе кремния

VeTek Semiconductor — профессиональный производитель и поставщик, специализирующийся на поставке высококачественных эпитаксиальных токоприемников GaN на основе кремния. Полупроводниковый токопроводник используется в системе VEECO K465i GaN MOCVD, имеет высокую чистоту, высокую термостойкость, коррозионную стойкость, добро пожаловать, чтобы узнать и сотрудничать с нами!

Отправить запрос

Описание продукта

VeTek Semiconducto является профессиональным ведущим китайским производителем эпитаксиальных датчиков GaN на основе кремния с высоким качеством и разумной ценой. Добро пожаловать, свяжитесь с нами.

Эпитаксиальный токопроводник GaN на основе кремния VeTek Semiconductor — это эпитаксиальный токоприемник GaN на основе кремния, который является ключевым компонентом системы MOCVD GaN VEECO K465i для поддержки и нагрева кремниевой подложки материала GaN во время эпитаксиального роста.

В эпитаксиальном токоприемнике GaN на основе кремния VeTek Semiconductor в качестве подложки используется графитовый материал высокой чистоты и высокого качества, который обладает хорошей стабильностью и теплопроводностью в процессе эпитаксиального роста. Эта подложка способна выдерживать воздействие высоких температур, обеспечивая стабильность и надежность процесса эпитаксиального роста.

Чтобы повысить эффективность и качество эпитаксиального роста, в поверхностном покрытии этого токоприемника используется карбид кремния высокой чистоты и однородности. Покрытие из карбида кремния обладает превосходной термостойкостью и химической стабильностью, а также может эффективно противостоять химической реакции и коррозии в процессе эпитаксиального роста.

Конструкция и выбор материала этого токоприемника разработаны таким образом, чтобы обеспечить оптимальную теплопроводность, химическую стабильность и механическую прочность для обеспечения высококачественного эпитаксии GaN. Его высокая чистота и высокая однородность обеспечивают постоянство и однородность во время роста, в результате чего получается высококачественная пленка GaN.

В целом, эпитаксиальный токоприемник GaN на основе кремния представляет собой высокопроизводительный продукт, разработанный специально для системы MOCVD GaN VEECO K465i с использованием высококачественной графитовой подложки высокой чистоты и покрытия из карбида кремния высокой чистоты и однородности. Он обеспечивает стабильность, надежность и высококачественную поддержку процесса эпитаксиального роста.

Физические свойства изостатического графита
Свойство	Единица	Типичное значение
Объемная плотность	г/см³	1.83
Твердость	HSD	58
Электрическое сопротивление	мОм·м	10
Предел прочности при изгибе	МПа	47
Прочность на сжатие	МПа	103
Предел прочности	МПа	31
Модуль для младших	ГПа	11.8
Тепловое расширение (КТР)	10-6К-1	4.6
Теплопроводность	Вт·м-1·К-1	130
Средний размер зерна	мкм	8-10
Пористость	%	10
Содержание пепла	ppm	≤10 (после очистки)

Физические свойства эпитаксиального токоприемника GaN на основе кремния:

Основные физические свойства покрытия CVD SiC
Свойство	Типичное значение
Кристальная структура	FCC β-фаза поликристаллическая, преимущественно (111) ориентированная
Плотность	3,21 г/см³
Твердость	Твердость 2500 по Виккерсу (нагрузка 500 г)
Размер зерна	2~10 мкм
Химическая чистота	99,99995%
Теплоемкость	640 Дж·кг-1·К-1
Температура сублимации	2700℃
Предел прочности при изгибе	415 МПа РТ 4-точечный
Модуль для младших	Изгиб 430 ГПа, 4 точки, 1300 ℃
Теплопроводность	300Вт·м-1·К-1
Тепловое расширение (КТР)	4,5×10-6К-1

Примечание. Перед нанесением покрытия мы проведем первую очистку, после нанесения покрытия проведем вторую очистку.

Цех полупроводникового производства ВеТек

Горячие Теги: Эпитаксиальный токоприемник GaN на основе кремния, Китай, Производитель, Поставщик, Фабрика, Индивидуальный, Купить, Усовершенствованный, Прочный, Сделано в Китае

Тег продукта

Связанная категория