Дом > Продукты > Покрытие из карбида кремния > Технология MOCVD > Сегменты крышки с покрытием SiC, внутренние
Сегменты крышки с покрытием SiC, внутренние
  • Сегменты крышки с покрытием SiC, внутренниеСегменты крышки с покрытием SiC, внутренние

Сегменты крышки с покрытием SiC, внутренние

В VeTek Semiconductor мы специализируемся на исследованиях, разработках и промышленном внедрении покрытий CVD SiC и покрытий CVD TaC. Одним из образцовых продуктов являются внутренние сегменты покрытия из карбида кремния, которые подвергаются обширной обработке для получения высокоточной поверхности из карбида кремния с плотным покрытием CVD. Это покрытие демонстрирует исключительную устойчивость к высоким температурам и обеспечивает надежную защиту от коррозии. Не стесняйтесь обращаться к нам по любым вопросам.

Отправить запрос

Описание продукта

Высококачественные внутренние сегменты крышки с покрытием SiC предлагаются китайским производителем VeTek Semicondutor. Купите сегменты крышки с покрытием SiC (внутренние), которые отличаются высоким качеством напрямую и по низкой цене.

Сегменты покрытия VeTek Semiconductor SiC (внутренние) являются важными компонентами, используемыми в передовых процессах производства полупроводников для системы Aixtron MOCVD.

Вот комплексное описание, подчеркивающее применение и преимущества продукта:

Наши сегменты крышки с полным карбид-кремниевым покрытием размером 14x4 дюйма (внутренние) обеспечивают следующие преимущества и сценарии применения при использовании в оборудовании Aixtron:

Идеальная посадка: эти сегменты крышки точно спроектированы и изготовлены так, чтобы идеально подходить к оборудованию Aixtron, обеспечивая стабильную и надежную работу.

Материал высокой чистоты: сегменты крышки изготовлены из материалов высокой чистоты, отвечающих строгим требованиям чистоты процессов производства полупроводников.

Устойчивость к высоким температурам: сегменты крышки демонстрируют превосходную устойчивость к высоким температурам, сохраняя стабильность без деформации или повреждений в условиях высокотемпературного процесса.

Выдающаяся химическая инертность. Обладая исключительной химической инертностью, эти сегменты покрытия противостоят химической коррозии и окислению, обеспечивая надежный защитный слой и продлевая их производительность и срок службы.

Плоская поверхность и точная обработка: сегменты крышки имеют гладкую и однородную поверхность, достигнутую за счет точной механической обработки. Это обеспечивает превосходную совместимость с другими компонентами оборудования Aixtron и обеспечивает оптимальную производительность процесса.

Благодаря использованию наших сегментов с полной внутренней крышкой размером 14x4 дюйма в оборудовании Aixtron можно добиться высококачественных процессов выращивания тонких полупроводниковых пленок. Эти сегменты покрытия играют решающую роль в обеспечении стабильной и надежной основы для роста тонких пленок.

Мы стремимся поставлять высококачественную продукцию, которая легко интегрируется с оборудованием Aixtron. Будь то оптимизация процессов или разработка новых продуктов, мы всегда готовы предоставить техническую поддержку и ответить на любые ваши вопросы.


Основные физические свойства покрытия CVD SiC:

Основные физические свойства покрытия CVD SiC
Свойство Типичное значение
Кристальная структура FCC β-фаза поликристаллическая, преимущественно (111) ориентированная
Плотность 3,21 г/см³
Твердость Твердость 2500 по Виккерсу (нагрузка 500 г)
Размер зерна 2~10 мкм
Химическая чистота 99,99995%
Теплоемкость 640 Дж·кг-1·К-1
Температура сублимации 2700℃
Предел прочности при изгибе 415 МПа РТ 4-точечный
Модуль для младших Изгиб 430 ГПа, 4 точки, 1300 ℃
Теплопроводность 300Вт·м-1·К-1
Тепловое расширение (КТР) 4,5×10-6К-1


Производственная цепочка:


Производственный цех


Горячие Теги: Внутренние сегменты крышки с покрытием SiC, Китай, Производитель, Поставщик, Фабрика, Индивидуальные, Купить, Усовершенствованные, Прочные, Сделано в Китае
Связанная категория
Отправить запрос
Пожалуйста, не стесняйтесь дать свой запрос в форме ниже. Мы ответим вам в течение 24 часов.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept