Дом > Продукты > Покрытие из карбида кремния > Технология MOCVD > Полупроводниковый токоприемник с покрытием SiC
Полупроводниковый токоприемник с покрытием SiC
  • Полупроводниковый токоприемник с покрытием SiCПолупроводниковый токоприемник с покрытием SiC

Полупроводниковый токоприемник с покрытием SiC

Полупроводниковый токоприемник VeTek Semiconductor с покрытием SiC представляет собой высоконадежное и долговечное устройство. Он разработан, чтобы выдерживать высокие температуры и агрессивные химические среды, сохраняя при этом стабильную производительность и длительный срок службы. Благодаря своим превосходным технологическим возможностям полупроводниковый токоприемник с покрытием SiC сокращает частоту замены и технического обслуживания, тем самым повышая эффективность производства. Мы с нетерпением ждем возможности сотрудничать с вами.

Отправить запрос

Описание продукта

Высококачественный полупроводниковый токоприемник с покрытием SiC предлагает китайский производитель VeTek Semiconductor. Купить полупроводниковый токоприемник высокого качества с покрытием SiC прямо с завода.

Полупроводниковый токоприемник VeTek Semiconductor с покрытием SiC специально разработан для использования в системах VEECO GaN и использует технологию MOCVD (химическое осаждение из паровой фазы). Этот токоприемник является жизненно важным компонентом, изготовленным из графита высокой чистоты, высокой плотности и прочности. Он покрыт нашим запатентованным покрытием CVD SiC, которое обеспечивает превосходную адгезию, продлевает срок службы продукта и гарантирует равномерный нагрев во время производственного процесса.

Плотное покрытие полупроводникового блока токоприемника SiC повышает его долговечность и надежность, а также обеспечивает последовательное и равномерное распределение тепла. Это напрямую способствует высокому выходу продукта при переработке. Объединив высококачественный графитовый материал с нашим усовершенствованным покрытием CVD SiC, мы получили продукт с превосходными характеристиками и увеличенным сроком службы.

Полупроводниковый токоприемник с покрытием SiC играет решающую роль в поддержании оптимальной однородности температуры и повышении общей эффективности производственного процесса. Его исключительные свойства покрытия и прочная конструкция обеспечивают надежную работу и долговечность. С помощью этого продукта вы сможете добиться высокой производительности переработки и превосходного качества продукции.

Мы стремимся предоставить вам высокопроизводительное решение, отвечающее вашим конкретным потребностям в системах VEECO GaN. Наши полупроводниковые токоприемники устанавливают отраслевые стандарты долговечности, однородности и надежности, гарантируя эффективность и продуктивность ваших производственных процессов.


Параметры продукта полупроводникового токоприемника с покрытием SiC

Основные физические свойства покрытия CVD SiC
Свойство Typical Value
Кристальная структура FCC β-фаза поликристаллическая, преимущественно (111) ориентированная
Плотность 3,21 г/см³
Твердость Твердость 2500 по Виккерсу (нагрузка 500 г)
Размер зерна 2~10 мкм
Химическая чистота 99,99995%
Теплоемкость 640 Дж·кг-1·К-1
Температура сублимации 2700℃
Предел прочности при изгибе 415 МПа РТ 4-точечный
Модуль для младших Изгиб 430 ГПа, 4 точки, 1300 ℃
Теплопроводность 300Вт·м-1·К-1
Тепловое расширение (КТР) 4,5×10-6К-1



Цех полупроводникового производства ВеТек


Обзор производственной цепочки эпитаксии полупроводниковых чипов:


Горячие Теги: Полупроводниковый токоприемник с SiC-покрытием, Китай, Производитель, Поставщик, Фабрика, Индивидуальный, Купить, Расширенный, Прочный, Сделано в Китае
Связанная категория
Отправить запрос
Пожалуйста, не стесняйтесь дать свой запрос в форме ниже. Мы ответим вам в течение 24 часов.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept