Пористый графит с покрытием TaC — это современный материал для обработки полупроводников, предоставляемый VeTek Semiconductor. Пористый графит с покрытием TaC сочетает в себе преимущества покрытия из пористого графита и карбида тантала (TaC) с хорошей теплопроводностью и газопроницаемостью. VeTek Semiconductor стремится предоставлять качественную продукцию по конкурентоспособным ценам, и мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.
VeTek Semiconductor — китайский производитель и поставщик, который в основном производитПористый графитс покрытием TaC с многолетним опытом. Надеюсь построить деловые отношения с вами.
Пористый графит VeTek Semiconductor с покрытием TaC — это революционный материал для производства полупроводников, который идеально сочетает в себе пористый графит с покрытием из карбида тантала (TaC). Этот пористый графит с покрытием TaC обладает превосходной проницаемостью и высокой пористостью (максимальная пористость составляет 75%), что устанавливает международный отраслевой рекорд. Покрытие TaC высокой чистоты не только повышает коррозионную и износостойкость пористого графита, но также обеспечивает дополнительный уровень защиты, эффективно решая такие проблемы, как обработка и коррозия.
Использование пористого графита с покрытием TaC позволяет значительно повысить эффективность и качество процесса производства полупроводников. Его превосходная проницаемость обеспечивает стабильность материала в условиях высоких температур и эффективно контролирует увеличение примесей углерода. В то же время конструкция с высокой пористостью обеспечивает лучшую газодиффузию, помогая поддерживать чистую среду роста.
Мы стремимся предоставлять клиентам превосходные материалы из пористого графита с покрытием TaC для удовлетворения потребностей промышленности по производству полупроводников. Будь то исследовательские лаборатории или промышленное производство, этот современный материал поможет вам добиться превосходной производительности и надежности. Свяжитесь с нами сегодня, чтобы узнать больше об этом революционном материале и начать свой путь к инновациям для развития производства полупроводников.
Физические свойства покрытия TaC | |
Плотность покрытия TaC | 14,3 (г/см³) |
Удельная излучательная способность | 0.3 |
Коэффициент теплового расширения | 6,3 10-6/К |
Покрытие TaC Твердость (HK) | 2000 Гонконг |
Сопротивление | 1×10-5Ом*см |
Термическая стабильность | <2500℃ |
Изменение размера графита | -10~-20ум |
Толщина покрытия | Типичное значение ≥20 мкм (35 мкм±10 мкм) |