Пористый графит с покрытием TaC
  • Пористый графит с покрытием TaCПористый графит с покрытием TaC
  • Пористый графит с покрытием TaCПористый графит с покрытием TaC

Пористый графит с покрытием TaC

Пористый графит с покрытием TaC — это современный материал для обработки полупроводников, предоставляемый VeTek Semiconductor. Пористый графит с покрытием TaC сочетает в себе преимущества покрытия из пористого графита и карбида тантала (TaC) с хорошей теплопроводностью и газопроницаемостью. VeTek Semiconductor стремится предоставлять качественную продукцию по конкурентоспособным ценам, и мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.

Отправить запрос

Описание продукта

VeTek Semiconductor — китайский производитель и поставщик, который в основном производитПористый графитс покрытием TaC с многолетним опытом. Надеюсь построить деловые отношения с вами.


Пористый графит VeTek Semiconductor с покрытием TaC — это революционный материал для производства полупроводников, который идеально сочетает в себе пористый графит с покрытием из карбида тантала (TaC). Этот пористый графит с покрытием TaC обладает превосходной проницаемостью и высокой пористостью (максимальная пористость составляет 75%), что устанавливает международный отраслевой рекорд. Покрытие TaC высокой чистоты не только повышает коррозионную и износостойкость пористого графита, но также обеспечивает дополнительный уровень защиты, эффективно решая такие проблемы, как обработка и коррозия.


Использование пористого графита с покрытием TaC позволяет значительно повысить эффективность и качество процесса производства полупроводников. Его превосходная проницаемость обеспечивает стабильность материала в условиях высоких температур и эффективно контролирует увеличение примесей углерода. В то же время конструкция с высокой пористостью обеспечивает лучшую газодиффузию, помогая поддерживать чистую среду роста.


Мы стремимся предоставлять клиентам превосходные материалы из пористого графита с покрытием TaC для удовлетворения потребностей промышленности по производству полупроводников. Будь то исследовательские лаборатории или промышленное производство, этот современный материал поможет вам добиться превосходной производительности и надежности. Свяжитесь с нами сегодня, чтобы узнать больше об этом революционном материале и начать свой путь к инновациям для развития производства полупроводников.


Метод PVT. Выращивание кристаллов SiC.

PVT method SiC Crystal Growth working diagram


Параметры продукта: пористый графит с покрытием TaC

Физические свойства покрытия TaC
Плотность покрытия TaC 14,3 (г/см³)
Удельная излучательная способность 0.3
Коэффициент теплового расширения 6,3 10-6
Покрытие TaC Твердость (HK) 2000 Гонконг
Сопротивление 1×10-5Ом*см
Термическая стабильность <2500℃
Изменение размера графита -10~-20ум
Толщина покрытия Типичное значение ≥20 мкм (35 мкм±10 мкм)



Производство пористого графита VeTek Semiconductor с покрытием TaC Магазин

Graphite substrateMOCVD epitaxial growth process testSilicon carbide ceramic processingSemiconductor process equipment



Горячие Теги: Пористый графит с покрытием TaC, Китай, Производитель, Поставщик, Фабрика, Индивидуальный, Купить, Усовершенствованный, Прочный, Сделано в Китае
Связанная категория
Отправить запрос
Пожалуйста, не стесняйтесь дать свой запрос в форме ниже. Мы ответим вам в течение 24 часов.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept