Пористый графит с покрытием TaC

Пористый графит с покрытием TaC — это современный материал для обработки полупроводников, предоставляемый VeTek Semiconductor. Пористый графит с покрытием TaC сочетает в себе преимущества покрытия из пористого графита и карбида тантала (TaC) с хорошей теплопроводностью и газопроницаемостью. VeTek Semiconductor стремится предоставлять качественную продукцию по конкурентоспособным ценам, и мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.

Отправить запрос

Описание продукта

VeTek Semiconductor — китайский производитель и поставщик, который в основном производит пористый графит с покрытием TaC и имеет многолетний опыт. Надеюсь построить деловые отношения с вами.

Пористый графит VeTek Semiconductor с покрытием TaC — это революционный материал для производства полупроводников, который идеально сочетает в себе пористый графит с покрытием из карбида тантала (TaC). Этот пористый графит с покрытием TaC обладает превосходной проницаемостью и высокой пористостью (максимальная пористость составляет 75%), что устанавливает международный отраслевой рекорд. Покрытие высокой чистоты TaC не только повышает коррозионную и износостойкость пористого графита, но также обеспечивает дополнительный уровень защиты, эффективно решая такие проблемы, как обработка и коррозия.

Использование пористого графита с покрытием TaC позволяет значительно повысить эффективность и качество процесса производства полупроводников. Его превосходная проницаемость обеспечивает стабильность материала в условиях высоких температур и эффективно контролирует увеличение примесей углерода. В то же время конструкция с высокой пористостью обеспечивает лучшие характеристики диффузии газа, помогая поддерживать чистую среду роста.

Мы стремимся предоставлять клиентам превосходные материалы из пористого графита с покрытием TaC для удовлетворения потребностей промышленности по производству полупроводников. Будь то исследовательские лаборатории или промышленное производство, этот современный материал поможет вам добиться превосходной производительности и надежности. Свяжитесь с нами сегодня, чтобы узнать больше об этом революционном материале и начать свой путь к инновациям для развития производства полупроводников.

Метод PVT. Выращивание кристаллов SiC.

Параметры продукта: пористый графит с покрытием TaC

Физические свойства покрытия TaC
Плотность	14,3 (г/см³)
Удельная излучательная способность	0.3
Коэффициент теплового расширения	6,3 10-6/К
Твердость (НК)	2000 Гонконг
Сопротивление	1×10-5 Ом*см
Термическая стабильность	<2500℃
Изменение размера графита	-10~-20ум
Толщина покрытия	Типичное значение ≥20 мкм (35 мкм±10 мкм)

Цех полупроводникового производства ВеТек

Обзор производственной цепочки эпитаксии полупроводниковых чипов:

Горячие Теги: Пористый графит с покрытием TaC, Китай, Производитель, Поставщик, Фабрика, Индивидуальный, Купить, Усовершенствованный, Прочный, Сделано в Китае

Тег продукта

Связанная категория