Vetek Semiconductor специализируется на исследованиях, разработках и промышленном внедрении покрытий CVD SiC и покрытий CVD TaC. Если взять в качестве примера токоприемник с покрытием SiC, продукт подвергается тщательной обработке с высокой точностью, плотным покрытием CVD SIC, высокой термостойкостью и сильной коррозионной стойкостью. Запрос на нас приветствуется.
Вы можете быть уверены, что купите токоприемник с покрытием SiC на нашем заводе.
Как производитель CVD-покрытий SiC, компания VeTek Semiconductor хотела бы предоставить вам токоприемники с SiC-покрытием, изготовленные из графита высокой чистоты, и токоприемник с SiC-покрытием (ниже 5 частей на миллион). Добро пожаловать, чтобы задать нам вопрос.
В Vetek Semiconductor мы специализируемся на технологических исследованиях, разработках и производстве, предлагая широкий спектр передовой продукции для отрасли. Наша основная линия продукции включает покрытие CVD SiC + графит высокой чистоты, токоприемник с покрытием SiC, полупроводниковый кварц, покрытие CVD TaC + графит высокой чистоты, жесткий войлок и другие материалы.
Одним из наших флагманских продуктов является токоприемник с покрытием SiC, разработанный с использованием инновационной технологии для удовлетворения строгих требований производства эпитаксиальных пластин. Эпитаксиальные пластины должны иметь плотное распределение длин волн и низкий уровень поверхностных дефектов, что делает наш токоприемник с SiC-покрытием важным компонентом в достижении этих важнейших параметров.
Защита основного материала: покрытие CVD SiC действует как защитный слой во время эпитаксиального процесса, эффективно защищая основной материал от эрозии и повреждений, вызванных внешней средой. Эта защитная мера значительно продлевает срок службы оборудования.
Отличная теплопроводность: наше CVD-покрытие SiC обладает превосходной теплопроводностью, эффективно передавая тепло от основного материала к поверхности покрытия. Это повышает эффективность управления температурным режимом во время эпитаксии, обеспечивая оптимальные рабочие температуры для оборудования.
Улучшенное качество пленки: покрытие CVD SiC обеспечивает плоскую и однородную поверхность, создавая идеальную основу для роста пленки. Он уменьшает дефекты, возникающие из-за несоответствия решеток, повышает кристалличность и качество эпитаксиальной пленки и, в конечном итоге, улучшает ее характеристики и надежность.
Выберите наш токоприемник с SiC-покрытием для нужд производства эпитаксиальных пластин и получите преимущества улучшенной защиты, превосходной теплопроводности и улучшенного качества пленки. Доверьтесь инновационным решениям VeTek Semiconductor, чтобы добиться успеха в полупроводниковой промышленности.
Основные физические свойства покрытия CVD SiC | |
Свойство | Типичное значение |
Кристальная структура | FCC β-фаза поликристаллическая, преимущественно (111) ориентированная |
Плотность | 3,21 г/см³ |
Твердость | Твердость 2500 по Виккерсу (нагрузка 500 г) |
Размер зерна | 2~10 мкм |
Химическая чистота | 99,99995% |
Теплоемкость | 640 Дж·кг-1·К-1 |
Температура сублимации | 2700℃ |
Предел прочности при изгибе | 415 МПа РТ 4-точечный |
Модуль для младших | Изгиб 430 ГПа, 4 точки, 1300 ℃ |
Теплопроводность | 300Вт·м-1·К-1 |
Тепловое расширение (КТР) | 4,5×10-6К-1 |