Датчик покрытия SiC
  • Датчик покрытия SiCДатчик покрытия SiC

Датчик покрытия SiC

Vetek Semiconductor специализируется на исследованиях, разработках и промышленном внедрении покрытий CVD SiC и покрытий CVD TaC. Если взять в качестве примера токоприемник с покрытием SiC, продукт подвергается тщательной обработке с высокой точностью, плотным покрытием CVD SIC, высокой термостойкостью и сильной коррозионной стойкостью. Запрос на нас приветствуется.

Отправить запрос

Описание продукта

Вы можете быть уверены, что купите токоприемник с покрытием SiC на нашем заводе.

Как производитель CVD-покрытий SiC, компания VeTek Semiconductor хотела бы предоставить вам токоприемники с SiC-покрытием, изготовленные из графита высокой чистоты, и токоприемник с SiC-покрытием (ниже 5 частей на миллион). Добро пожаловать, чтобы задать нам вопрос.

В Vetek Semiconductor мы специализируемся на технологических исследованиях, разработках и производстве, предлагая широкий спектр передовой продукции для отрасли. Наша основная линия продукции включает покрытие CVD SiC + графит высокой чистоты, токоприемник с покрытием SiC, полупроводниковый кварц, покрытие CVD TaC + графит высокой чистоты, жесткий войлок и другие материалы.

Одним из наших флагманских продуктов является токоприемник с покрытием SiC, разработанный с использованием инновационной технологии для удовлетворения строгих требований производства эпитаксиальных пластин. Эпитаксиальные пластины должны иметь плотное распределение длин волн и низкий уровень поверхностных дефектов, что делает наш токоприемник с SiC-покрытием важным компонентом в достижении этих важнейших параметров.


Преимущества нашего токоприемника с покрытием SiC:

Защита основного материала: покрытие CVD SiC действует как защитный слой во время эпитаксиального процесса, эффективно защищая основной материал от эрозии и повреждений, вызванных внешней средой. Эта защитная мера значительно продлевает срок службы оборудования.

Отличная теплопроводность: наше CVD-покрытие SiC обладает превосходной теплопроводностью, эффективно передавая тепло от основного материала к поверхности покрытия. Это повышает эффективность управления температурным режимом во время эпитаксии, обеспечивая оптимальные рабочие температуры для оборудования.

Улучшенное качество пленки: покрытие CVD SiC обеспечивает плоскую и однородную поверхность, создавая идеальную основу для роста пленки. Он уменьшает дефекты, возникающие из-за несоответствия решеток, повышает кристалличность и качество эпитаксиальной пленки и, в конечном итоге, улучшает ее характеристики и надежность.

Выберите наш токоприемник с SiC-покрытием для нужд производства эпитаксиальных пластин и получите преимущества улучшенной защиты, превосходной теплопроводности и улучшенного качества пленки. Доверьтесь инновационным решениям VeTek Semiconductor, чтобы добиться успеха в полупроводниковой промышленности.


Основные физические свойства покрытия CVD SiC:

Основные физические свойства покрытия CVD SiC
Свойство Типичное значение
Кристальная структура FCC β-фаза поликристаллическая, преимущественно (111) ориентированная
Плотность 3,21 г/см³
Твердость Твердость 2500 по Виккерсу (нагрузка 500 г)
Размер зерна 2~10 мкм
Химическая чистота 99,99995%
Теплоемкость 640 Дж·кг-1·К-1
Температура сублимации 2700℃
Предел прочности при изгибе 415 МПа РТ 4-точечный
Модуль для младших Изгиб 430 ГПа, 4 точки, 1300 ℃
Теплопроводность 300Вт·м-1·К-1
Тепловое расширение (КТР) 4,5×10-6К-1


Производственные цеха:


Обзор производственной цепочки эпитаксии полупроводниковых чипов:


Горячие Теги: Датчик покрытия SiC, Китай, Производитель, Поставщик, Фабрика, Индивидуальный, Купить, Усовершенствованный, Прочный, Сделано в Китае
Связанная категория
Отправить запрос
Пожалуйста, не стесняйтесь дать свой запрос в форме ниже. Мы ответим вам в течение 24 часов.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept