VeTek Semiconductor, ведущий производитель покрытий SiC CVD, предлагает набор дисков для нанесения покрытия SiC в реакторах Aixtron MOCVD. Эти наборы покрытий SiC изготовлены с использованием графита высокой чистоты и имеют покрытие SiC CVD с содержанием примесей менее 5 частей на миллион. Мы приветствуем запросы об этом продукте.
VeTek Semiconductor - китайский производитель и поставщик SiC-покрытий, который в основном производит диски, коллекторы и токоприемники с SiC-покрытиями с многолетним опытом. Надеюсь построить деловые отношения с вами.
Диск Aixtron SiC Coating Set Disc — это высокопроизводительный продукт, предназначенный для широкого спектра применений. Комплект изготовлен из высококачественного графита с защитным покрытием из карбида кремния (SiC).
Покрытие из карбида кремния (SiC) на поверхности диска имеет несколько важных преимуществ. Прежде всего, это значительно улучшает теплопроводность графитового материала, обеспечивая эффективную теплопроводность и точный контроль температуры. Это обеспечивает равномерный нагрев или охлаждение всего набора дисков во время использования, что обеспечивает стабильную производительность.
Во-вторых, покрытие из карбида кремния (SiC) обладает превосходной химической инертностью, что делает комплект дисков очень устойчивым к коррозии. Эта коррозионная стойкость обеспечивает долговечность и надежность диска даже в суровых и агрессивных средах, что делает его пригодным для различных сценариев применения.
Кроме того, покрытие из карбида кремния (SiC) повышает общую долговечность и износостойкость комплекта дисков. Этот защитный слой помогает диску выдерживать многократное использование, снижая риск повреждения или ухудшения качества, которое может произойти с течением времени. Повышенная долговечность обеспечивает длительную работу и надежность набора дисков.
Диски с покрытием SiC Aixtron широко используются в производстве полупроводников, химической обработке и исследовательских лабораториях. Его превосходная теплопроводность, химическая стойкость и долговечность делают его идеальным для критически важных применений, требующих точного контроля температуры и устойчивых к коррозии сред.
Основные физические свойства покрытия CVD SiC | |
Свойство | Типичное значение |
Кристальная структура | FCC β-фаза поликристаллическая, преимущественно (111) ориентированная |
Плотность | 3,21 г/см³ |
Твердость | Твердость 2500 по Виккерсу (нагрузка 500 г) |
Размер зерна | 2~10 мкм |
Химическая чистота | 99,99995% |
Теплоемкость | 640 Дж·кг-1·К-1 |
Температура сублимации | 2700℃ |
Предел прочности при изгибе | 415 МПа РТ 4-точечный |
Модуль для младших | Изгиб 430 ГПа, 4 точки, 1300 ℃ |
Теплопроводность | 300Вт·м-1·К-1 |
Тепловое расширение (КТР) | 4,5×10-6К-1 |