Верхняя часть коллектора с покрытием SiC

Имея многолетний опыт в производстве покрытий TaC и SiC, компания VeTek Semiconductor может поставлять широкий ассортимент верхней части коллектора с покрытием SiC, центра коллектора и нижней части коллектора для системы Aixtron. Высококачественная верхняя часть коллектора с покрытием SiC может удовлетворить многие потребности. Если вам нужно, своевременно воспользуйтесь нашей онлайн-услугой по верхней части коллектора с покрытием SiC. В дополнение к приведенному ниже списку продуктов вы также можете настроить свою собственную уникальную крышку коллектора с покрытием SiC в соответствии с вашими конкретными потребностями.

Верхняя часть коллектора с покрытием SiC, центр коллектора с покрытием SiC и нижняя часть коллектора с покрытием SiC являются тремя основными компонентами, используемыми в процессе производства полупроводников. Давайте поговорим о каждом продукте отдельно:

Верхняя часть коллектора с покрытием VeTek Semiconductor SiC играет решающую роль в процессе осаждения полупроводников. Он действует как опорная структура для осаждаемого материала, помогая поддерживать однородность и стабильность во время осаждения. Это также помогает в управлении температурным режимом, эффективно рассеивая тепло, выделяемое во время процесса. Верхняя часть коллектора обеспечивает правильное расположение и распределение осаждаемого материала, что приводит к качественному и равномерному росту пленки.

Покрытие SiC на верхней, центральной и нижней частях коллектора значительно повышает их производительность и долговечность. Покрытие SiC (карбид кремния) известно своей превосходной теплопроводностью, химической инертностью и коррозионной стойкостью. Покрытие SiC вверху, в центре и внизу коллектора обеспечивает превосходные возможности терморегулирования, обеспечивая эффективное рассеивание тепла и поддержание оптимальных температур процесса. Он также обладает превосходной химической стойкостью, защищая компоненты от агрессивной среды и продлевая срок их службы. Свойства покрытий SiC помогают повысить стабильность процессов производства полупроводников, уменьшить дефекты и улучшить качество пленок.

Основные физические свойства покрытия CVD SiC:

Производственная цепочка:

Производственный цех