Нижняя часть коллектора с покрытием SiC

VeTek Semiconductor является производителем, стремящимся обеспечить высококачественное покрытие CVD TaC и покрытие нижней части коллектора CVD SiC и тесно сотрудничает с оборудованием Aixtron для удовлетворения потребностей наших клиентов. Будь то оптимизация процессов или разработка новых продуктов, мы готовы предоставить вам техническую поддержку и ответить на любые ваши вопросы.

Продукты Aixtron с верхним коллектором с покрытием SiC, центром коллектора и нижним коллектором с покрытием SiC. Эти продукты являются одними из ключевых компонентов, используемых в передовых процессах производства полупроводников.

Комбинация верхней, центральной и нижней частей коллектора с SiC-покрытием Aixtron в оборудовании Aixtron играет следующие важные роли:

Управление температурным режимом: эти компоненты обладают превосходной теплопроводностью и способны эффективно проводить тепло. Управление температурным режимом имеет решающее значение в производстве полупроводников. Покрытия SiC в верхней части коллектора, в центре коллектора и в нижней части коллектора с покрытием из карбида кремния помогают эффективно отводить тепло, поддерживать соответствующую температуру процесса и улучшать терморегулирование оборудования.

Химическая инерция и коррозионная стойкость: верхняя часть коллектора, центральная часть коллектора и нижняя часть коллектора с SiC-покрытием Aixtron обладают превосходной химической инерцией и устойчивы к химической коррозии и окислению. Это позволяет им стабильно работать в агрессивных химических средах в течение длительного времени, обеспечивая надежный защитный слой и продлевая срок службы компонентов.

Поддержка процесса электронно-лучевого испарения (ЭБ). Эти компоненты используются в оборудовании Aixtron для поддержки процесса электронно-лучевого испарения. Конструкция и выбор материалов верхней части коллектора, центра коллектора и нижней части коллектора с покрытием SiC помогают добиться равномерного осаждения пленки и обеспечивают стабильную подложку, гарантирующую качество и однородность пленки.

Оптимизация среды выращивания пленки: верхняя часть коллектора, центральный коллектор и нижняя часть коллектора с покрытием SiC оптимизируют среду выращивания пленки в оборудовании Aixtron. Химическая инертность и теплопроводность покрытия помогают уменьшить примеси и дефекты, а также улучшить кристаллическое качество и консистенцию пленки.

Используя верхнюю часть коллектора, центральную часть коллектора и нижнюю часть коллектора с покрытием SiC от Aixtron, можно обеспечить терморегулирование и химическую защиту в процессах производства полупроводников, оптимизировать среду выращивания пленки, а также улучшить качество и однородность пленки. Сочетание этих компонентов в оборудовании Aixtron обеспечивает стабильные технологические условия и эффективное производство полупроводников.

Основные физические свойства покрытия CVD SiC:

Производственная цепочка:

Производственный цех