Покрытие SiC, токоприемник ALD

ВеТек ПолупроводникПокрытие SiC, токоприемник АЛДиграет жизненно важную роль в осаждении атомных слоев (АЛД) процесс. Точный контроль температуры, равномерное распределение газа, высокая химическая стойкость и отличная теплопроводность обеспечивают однородность и высокое качество процесса нанесения пленки. Если вы хотите узнать больше, вы можете немедленно проконсультироваться с нами, и мы ответим вам вовремя!

Точный контроль температуры:

Датчик ALD с покрытием SiC обычно имеет высокоточную систему контроля температуры. Он способен поддерживать равномерную температурную среду на протяжении всего процесса осаждения, что имеет решающее значение для обеспечения однородности и качества пленки.

Равномерное распределение газа:

Оптимизированная конструкция токоприемника ALD с покрытием SiC обеспечивает равномерное распределение газа в процессе осаждения ALD. Его структура обычно включает в себя несколько вращающихся или движущихся частей, что обеспечивает равномерное покрытие химически активными газами всей поверхности пластины.

Высокая химическая стойкость:

Поскольку в процессе ALD используются различные химические газы, токоприемник ALD с покрытием SiC обычно изготавливается из коррозионностойких материалов (таких как платина, керамика или кварц высокой чистоты), чтобы противостоять эрозии химических газов и влиянию высокотемпературных сред.

Отличная теплопроводность:

Чтобы эффективно проводить тепло и поддерживать стабильную температуру осаждения, в токоприемниках ALD с покрытием SiC обычно используются материалы с высокой теплопроводностью. Это помогает избежать локального перегрева и неравномерного нанесения.

Основные физические свойства покрытия CVD SiC:

Производственные цеха:

Обзор производственной цепочки эпитаксии полупроводниковых чипов：