Характеристики эпитаксии кремния

Характеристики эпитаксии кремния следующие:

Высокая чистота: эпитаксиальный слой кремния, выращенный методом химического осаждения из паровой фазы (CVD), имеет чрезвычайно высокую чистоту, лучшую плоскостность поверхности и меньшую плотность дефектов, чем традиционные пластины.

Однородность тонкой пленки. Эпитаксия кремния может образовывать очень однородную тонкую пленку при определенной гарантированной скорости роста. При этом можно добиться равномерности нагрева, тем самым уменьшая дефекты кристаллической структуры и улучшая качество кристалла.

Сильная управляемость: технология эпитаксии кремния позволяет точно контролировать морфологию, размер и структуру кремниевых материалов, а также выращивать сложные кристаллические структуры, такие как многослойные гетеропереходы.

Большой диаметр пластин: технология эпитаксиального роста кремния позволяет выращивать кремниевые пластины большого диаметра, а возможность производить кремниевые пластины большого диаметра имеет решающее значение для производства полупроводников.

Надежность процесса: процесс эпитаксиальной кремния можно использовать многократно, что имеет большое значение для массового производства полупроводниковых устройств.