> Новости

Новости

История развития 3C SiC

Ожидается, что благодаря постоянному технологическому прогрессу и углубленным исследованиям механизмов гетероэпитаксиальная технология 3C-SiC будет играть более важную роль в полупроводниковой промышленности и способствовать разработке высокоэффективных электронных устройств.

Рецепт осаждения атомного слоя ALD

Пространственное ALD, пространственно изолированное атомно-слоевое осаждение. Пластина перемещается между разными позициями и в каждой позиции подвергается воздействию разных предшественников. На рисунке ниже показано сравнение традиционного ALD и пространственно изолированного ALD.

Прорыв в технологии карбида тантала, эпитаксиальное загрязнение SiC снижено на 75%?

Недавно немецкий научно-исследовательский институт Fraunhofer IISB совершил прорыв в исследованиях и разработках технологии нанесения покрытий из карбида тантала и разработал решение для покрытия распылением, которое является более гибким и экологически чистым, чем решение для осаждения CVD, и было ......

Исследовательское применение технологии 3D-печати в полупроводниковой промышленности.

В эпоху быстрого технологического развития 3D-печать, как важный представитель передовых производственных технологий, постепенно меняет облик традиционного производства. Благодаря постоянному развитию технологий и снижению затрат технология 3D-печати показала широкие перспективы применения во многих......

Технология приготовления эпитаксии кремния(Si)

Сами по себе монокристаллические материалы не могут удовлетворить потребности растущего производства различных полупроводниковых приборов. В конце 1959 года была разработана технология выращивания тонкослойных монокристаллических материалов – эпитаксиальный рост.

На основе 8-дюймовой технологии печи для выращивания монокристаллов карбида кремния.

Карбид кремния — один из идеальных материалов для изготовления высокотемпературных, высокочастотных, мощных и высоковольтных устройств. Важным направлением развития с целью повышения эффективности производства и снижения затрат является подготовка крупногабаритных подложек из карбида кремния.

<...6 7 8 9 10 >