Рецепт осаждения атомного слоя ALD

Пространственный ALD, пространственно изолированное атомно-слоевое осаждение. Пластина перемещается между разными позициями и в каждой позиции подвергается воздействию разных предшественников. На рисунке ниже показано сравнение традиционного ALD и пространственно изолированного ALD.

Временной АЛД,временно изолированное осаждение атомного слоя. Пластина фиксируется, а предшественники поочередно вводятся и удаляются в камеру. Этот метод позволяет обрабатывать пластину в более сбалансированной среде, тем самым улучшая результаты, например, улучшая контроль диапазона критических размеров. На рисунке ниже представлена ​​принципиальная схема Temporal ALD.

Запорный клапан, закрыть клапан. Обычно используется в，рецепты, используемые для закрытия клапана вакуумного насоса или открытия запорного клапана вакуумного насоса.

Предвестник, предвестник. Два или более, каждый из которых содержит элементы желаемой осажденной пленки, попеременно адсорбируются на поверхности подложки, причем только по одному предшественнику за раз, независимо друг от друга. Каждый предшественник насыщает поверхность подложки, образуя монослой. Предшественник можно увидеть на рисунке ниже.

Чистка, также известная как очищение. Обычный продувочный газ, продувочный газ.Нанесение атомного слояпредставляет собой метод нанесения тонких пленок атомными слоями путем последовательного помещения двух или более реагентов в реакционную камеру для формирования тонкой пленки за счет разложения и адсорбции каждого реагента. То есть первый реакционный газ подается импульсно для химического осаждения внутри камеры, а физически связанный остаточный первый реакционный газ удаляется посредством продувки. Затем второй реакционный газ также образует химическую связь с первым реакционным газом, частично посредством импульсного процесса и процесса продувки, тем самым осаждавая желаемую пленку на подложке. Продувку можно увидеть на рисунке ниже.

Цикл. В процессе осаждения атомного слоя время, в течение которого каждый реакционный газ подвергается пульсации и однократной продувке, называется циклом.

Атомно-слоевая эпитаксия.Другой термин для обозначения атомно-слоевого осаждения.

Триметилалюминий, сокращенно ТМА, триметилалюминий. При атомно-слоевом осаждении ТМА часто используется в качестве прекурсора для образования Al2O3. Обычно ТМА и H2O образуют Al2O3. Кроме того, ТМА и О3 образуют Al2O3. На рисунке ниже представлена ​​схематическая диаграмма осаждения атомного слоя Al2O3 с использованием ТМА и H2O в качестве прекурсоров.

3-аминопропилтриэтоксисилан, называемый APTES, 3-аминопропилтриметоксисилан. Ватомно-слоевое осаждение, APTES часто используется в качестве предшественника для образования SiO2. Обычно APTES, O3 и H2O образуют SiO2. На рисунке ниже представлена ​​принципиальная схема APTES.