Основное отличие эпитаксии от атомно-слоевого осаждения (АЛД) заключается в механизмах роста пленок и условиях эксплуатации. Эпитаксия относится к процессу выращивания тонкой кристаллической пленки на кристаллической подложке с определенной ориентацией, сохраняющей ту же или подобную кристаллическую......
Читать далееПокрытие CVD TAC — это процесс формирования плотного и прочного покрытия на подложке (графите). Этот метод включает нанесение TaC на поверхность подложки при высоких температурах, в результате чего образуется покрытие из карбида тантала (TaC) с превосходной термической стабильностью и химической сто......
Читать далееПо мере развития 8-дюймового процесса карбида кремния (SiC) производители ускоряют переход от 6-дюймового к 8-дюймовому. Недавно компании ON Semiconductor и Resonac объявили об обновлении производства 8-дюймовых SiC.
Читать далееВ этой статье представлены последние разработки в области недавно разработанного CVD-реактора PE1O8 с горячими стенками итальянской компании LPE и его способности выполнять равномерную эпитаксию 4H-SiC на 200-мм SiC.
Читать далееС ростом спроса на материалы SiC в силовой электронике, оптоэлектронике и других областях разработка технологии выращивания монокристаллов SiC станет ключевым направлением научных и технологических инноваций. Проектирование теплового поля, являющееся основой оборудования для выращивания монокристалл......
Читать далееПроцесс производства чипов включает в себя фотолитографию, травление, диффузию, создание тонких пленок, ионную имплантацию, химико-механическую полировку, очистку и т. д. В этой статье примерно объясняется, как эти процессы последовательно объединяются для производства МОП-транзистора.
Читать далее