Токоприемник с покрытием MOCVD SiC

Токоприемник с покрытием VeTek Semiconductor MOCVD SiC изготовлен из высококачественногографит, который выбран из-за его термической стабильности и превосходной теплопроводности (около 120-150 Вт/м·К). Присущие графиту свойства делают его идеальным материалом, способным противостоять суровым внутренним условиям.MOCVD-реакторы. Для улучшения характеристик и продления срока службы графитовый токоприемник тщательно покрывается слоем карбида кремния (SiC).

Датчик покрытия MOCVD SiC является ключевым компонентом, используемым вхимическое осаждение из паровой фазы (CVD)ипроцессы химического осаждения металлорганических соединений из паровой фазы (MOCVD). Его основная функция — поддерживать и нагревать пластины кремния или карбида кремния (SiC), а также обеспечивать равномерное осаждение газа в условиях высокой температуры. Это незаменимый продукт при обработке полупроводников.

Применение токоприемника с покрытием MOCVD SiC в обработке полупроводников:

Поддержка и нагрев пластин:

Токоприемник с покрытием MOCVD SiC не только обладает мощной функцией поддержки, но также может эффективно нагреватьвафляравномерно, чтобы обеспечить стабильность процесса химического осаждения из паровой фазы. В процессе осаждения высокая теплопроводность покрытия SiC позволяет быстро передавать тепловую энергию к каждой области пластины, избегая локального перегрева или недостаточной температуры, тем самым обеспечивая равномерное осаждение химического газа на поверхность пластины. Этот эффект равномерного нагрева и осаждения значительно улучшает однородность обработки пластин, делая толщину поверхностной пленки каждой пластины однородной и снижая процент дефектов, что еще больше повышает производительность производства и надежность работы полупроводниковых устройств.

Эпитаксия Рост:

ВMOCVD-процессНосители с покрытием SiC являются ключевыми компонентами процесса эпитаксии. Они специально используются для поддержки и нагрева пластин кремния и карбида кремния, гарантируя, что материалы в химической паровой фазе могут быть равномерно и точно осаждены на поверхность пластины, тем самым формируя высококачественные, бездефектные тонкопленочные структуры. Покрытия SiC не только устойчивы к высоким температурам, но также сохраняют химическую стабильность в сложных технологических средах, что позволяет избежать загрязнения и коррозии. Таким образом, носители с покрытием SiC играют жизненно важную роль в процессе эпитаксии высокоточных полупроводниковых устройств, таких как силовые устройства SiC (такие как SiC MOSFET и диоды), светодиоды (особенно синие и ультрафиолетовые светодиоды) и фотоэлектрические солнечные элементы.

Нитрид галлия (GaN)и эпитаксия арсенида галлия (GaAs):

Носители с покрытием SiC являются незаменимым выбором для выращивания эпитаксиальных слоев GaN и GaAs благодаря их превосходной теплопроводности и низкому коэффициенту теплового расширения. Их эффективная теплопроводность позволяет равномерно распределять тепло во время эпитаксиального роста, гарантируя, что каждый слой осаждаемого материала может расти равномерно при контролируемой температуре. В то же время низкое тепловое расширение SiC позволяет ему оставаться стабильным по размерам при экстремальных изменениях температуры, эффективно снижая риск деформации пластины и тем самым обеспечивая высокое качество и однородность эпитаксиального слоя. Эта особенность делает носители с покрытием SiC идеальным выбором для производства высокочастотных мощных электронных устройств (таких как устройства GaN HEMT), а также оптических коммуникаций и оптоэлектронных устройств (таких как лазеры и детекторы на основе GaAs).

ВеТек ПолупроводникЦехи по производству токоприемников с покрытием MOCVD SiC: