MOCVD светодиодный эписуссептор

ВеТек ПолупроводникхMOCVD светодиодный эписуссепторявляется основным компонентом. В процессе изготовления полупроводниковых приборовMOCVD светодиодный эписуссепторЭто не только простая нагревательная платформа, но и прецизионный технологический инструмент, который оказывает глубокое влияние на качество, скорость роста, однородность и другие аспекты тонкопленочных материалов.

Конкретное использованиеMOCVD светодиодный эписуссепторв обработке полупроводников следующие:

Контроль нагрева и однородности подложки:

MOCVD Epitaxy Susceptor используется для обеспечения равномерного нагрева и обеспечения стабильной температуры подложки во время эпитаксиального роста. Это важно для получения высококачественных полупроводниковых пленок и обеспечения постоянства толщины и кристаллического качества эпитаксиальных слоев по всей подложке.

Поддержка камер реактора химического осаждения из паровой фазы (CVD):

Являясь важным компонентом CVD-реактора, Susceptor способствует осаждению металлоорганических соединений на подложки. Это помогает точно преобразовать эти соединения в твердые пленки для формирования желаемых полупроводниковых материалов.

Содействие распространению газа:

Конструкция Susceptor позволяет оптимизировать распределение потоков газов в реакционной камере, обеспечивая равномерный контакт реакционного газа с подложкой, тем самым улучшая однородность и качество эпитаксиальных пленок.

Вы можете быть уверены, что купите индивидуальныйMOCVD светодиодный эписуссепторот нас, мы надеемся на сотрудничество с вами. Если вы хотите узнать больше информации, вы можете немедленно проконсультироваться с нами, и мы ответим вам вовремя!

Основные физические свойства покрытия CVD SiC:

Производственные цеха:

Обзор производственной цепочки эпитаксии полупроводниковых чипов：