Подложка SiC полуизолирующего типа 4H

Карбид кремния полупроводникового типа Vetek Semiconductor 4H играет несколько ключевых ролей в процессе обработки полупроводников. В сочетании с его высоким удельным сопротивлением, высокой теплопроводностью, широкой запрещенной зоной и другими свойствами он широко используется в высокочастотных, мощных и высокотемпературных полях, особенно в микроволновых и радиочастотных приложениях. Это незаменимый компонент в процессе производства полупроводников.

Удельное сопротивление подложки SiC полуизолирующего типа Vetek Semiconductor 4H обычно составляет от 10^6 Ом·см до 10^9 Ом·см. Такое высокое сопротивление может подавлять паразитные токи и уменьшать помехи сигнала, особенно в высокочастотных и мощных приложениях. Что еще более важно, высокое удельное сопротивление подложки SiC типа 4H SI имеет чрезвычайно низкий ток утечки при высокой температуре и высоком давлении, что может обеспечить стабильность и надежность устройства.

Напряженность электрического поля пробоя подложки SiC типа 4H SI достигает 2,2-3,0 МВ/см, что определяет, что подложка SiC типа 4H SI может выдерживать более высокие напряжения без пробоя, поэтому продукт очень подходит для работы под Условия высокого напряжения и большой мощности. Что еще более важно, подложка SiC типа 4H SI имеет широкую запрещенную зону около 3,26 эВ, поэтому продукт может сохранять отличные изоляционные характеристики при высоких температурах и высоких напряжениях, а также снижать электронные шумы.

Кроме того, теплопроводность подложки SiC типа 4H SI составляет около 4,9 Вт/см·К, поэтому этот продукт может эффективно уменьшить проблему накопления тепла в мощных приложениях и продлить срок службы устройства. Подходит для электронных устройств, работающих в условиях высоких температур.

Путем выращивания эпитаксиального слоя GaN на полуизолирующей подложке из карбида кремния эпитаксиальную пластину GaN на основе карбида кремния можно в дальнейшем превратить в микроволновые радиочастотные устройства, такие как HEMT, которые используются в информационной передаче, радиообнаружении и других областях.

Vetek Semiconductor постоянно стремится к повышению качества кристаллов и качества обработки для удовлетворения потребностей клиентов. В настоящее время доступны 4-дюймовые и 6-дюймовые продукты, а 8-дюймовые продукты находятся в стадии разработки. 

Полуизолирующая подложка SiC ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОДУКТА:

Полуизолирующая подложка SiC. ХАРАКТЕРИСТИКИ КАЧЕСТВА КРИСТАЛЛА.:

Полуизолирующий тип подложки SiC 4H. Метод обнаружения и терминология.: