Дом > Продукты > Покрытие из карбида тантала > УФ-светодиодный датчик > Светодиодный датчик глубокого УФ-излучения с покрытием TaC
Светодиодный датчик глубокого УФ-излучения с покрытием TaC
  • Светодиодный датчик глубокого УФ-излучения с покрытием TaCСветодиодный датчик глубокого УФ-излучения с покрытием TaC

Светодиодный датчик глубокого УФ-излучения с покрытием TaC

VeTek Semiconductor — интегрированный поставщик, занимающийся исследованиями и разработками, производством, проектированием и продажей покрытий TaC. Мы специализируемся на производстве ультрасовременных УФ-светодиодных датчиков с покрытием TaC, которые являются важнейшими компонентами процесса эпитаксии светодиодов. Наши светодиодные датчики глубокого УФ-излучения с покрытием TaC обеспечивают высокую теплопроводность, высокую механическую прочность, повышенную эффективность производства и эпитаксиальную защиту пластин. Добро пожаловать на запрос к нам.

Отправить запрос

Описание продукта

VeTek Semiconductor — ведущий китайский производитель, поставщик и экспортер, специализирующийся на покрытиях SiC и TaC. Мы уделяем приоритетное внимание качеству продукции, что приводит к высокой удовлетворенности клиентов УФ-светодиодными датчиками с покрытием TaC. VeTek Semiconductor предлагает исключительный дизайн, качественные материалы, высокую производительность и конкурентоспособные цены. Кроме того, наше безупречное послепродажное обслуживание является важным аспектом их предложений. Если вы заинтересованы в наших услугах по УФ-светодиодным датчикам с покрытием TaC, вы можете связаться с ними для получения своевременной помощи и быстрого ответа.

Эпитаксия светодиодов — ключевой этап в производстве светодиодов, при котором материалы наносятся на определенную решетку для формирования светоизлучающего слоя, позволяющего светодиоду излучать свет. Светодиодную эпитаксию можно разделить на различные типы, включая эпитаксию GaN, эпитаксию InGaN, эпитаксию AlGaInP, эпитаксию AlInGaP и эпитаксию SiC. Различные типы эпитаксии подходят для светодиодов с разной длиной волны, например синего, зеленого, красного, оранжевого и желтого.

В процессе производства светодиодов необходимо обращаться с эпитаксиальными пластинами и перемещать их. В этом отношении УФ-светодиодные датчики с покрытием TaC обладают рядом преимуществ:

Высокая теплопроводность: покрытие TaC демонстрирует превосходную теплопроводность, эффективно рассеивая тепло и повышая эффективность рассеивания тепла. Это предотвращает перегрев эпитаксиальных пластин, тем самым увеличивая срок службы светодиодов и стабильность их работы.

Защита эпитаксиальных пластин: светодиодный датчик глубокого УФ-излучения с покрытием TaC обеспечивает защитный слой, защищающий эпитаксиальные пластины от механических повреждений и коррозии. Он демонстрирует превосходную коррозионную стойкость, защищая пластины от химических веществ и влаги и сохраняя их целостность.

Высокая механическая прочность: УФ-светодиоды с покрытием TaC обладают высокой твердостью и механической прочностью, что позволяет им противостоять внешним воздействиям и нагрузкам. Это обеспечивает безопасность и стабильность эпитаксиальных пластин во время обработки и транспортировки.

Повышение эффективности производства: датчик УФ-светодиодов с покрытием TaC обеспечивает превосходную износостойкость и коррозионную стойкость, уменьшая повреждение и загрязнение пластин. Это снижает потери при производстве и повышает эффективность производства.

Таким образом, УФ-светодиодный датчик с покрытием TaC обеспечивает высокую теплопроводность, надежную защиту, высокую механическую прочность и повышенную эффективность производства при производстве светодиодов. Они поддерживают обработку и перенос эпитаксиальных пластин, способствуя повышению качества и производительности светодиодов.


Основные физические свойства покрытия TaC:

Физические свойства покрытия TaC
Плотность 14,3 (г/см³)
Удельная излучательная способность 0.3
Коэффициент теплового расширения 6,3 10-6/К
Твердость (ГК) 2000 Гонконг
Сопротивление 1×10-5 Ом*см
Термическая стабильность <2500 ℃
Изменение размера графита -10~-20ум
Толщина покрытия Типичное значение ≥20 мкм (35 мкм±10 мкм)


Цех полупроводникового производства ВеТек


Обзор производственной цепочки эпитаксии полупроводниковых чипов:


Горячие Теги: Светодиодный датчик глубокого УФ-излучения с покрытием TaC, Китай, Производитель, Поставщик, Фабрика, Индивидуальный, Купить, Усовершенствованный, Прочный, Сделано в Китае
Связанная категория
Отправить запрос
Пожалуйста, не стесняйтесь дать свой запрос в форме ниже. Мы ответим вам в течение 24 часов.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept