VeTek Semiconductor — комплексный поставщик, занимающийся исследованиями, разработками, производством, проектированием и продажей покрытий TaC и деталей с покрытием SiC. Наш опыт заключается в производстве современных токопроводителей MOCVD с покрытием TaC, которые играют жизненно важную роль в процессе эпитаксии светодиодов. Мы приветствуем вас, чтобы обсудить с нами вопросы и дополнительную информацию.
VeTek Semiconductor — ведущий китайский производитель, поставщик и экспортер, специализирующийся на токопроводителях MOCVD с покрытием TaC. Приглашаем вас прийти на наш завод, чтобы купить новейшие, недорогие и высококачественные датчики MOCVD с покрытием TaC. Мы надеемся на сотрудничество с вами.
Светодиодная эпитаксия сталкивается с такими проблемами, как контроль качества кристаллов, выбор и подбор материалов, структурное проектирование и оптимизация, контроль и согласованность процесса, а также эффективность светоотдачи. Выбор правильного материала носителя эпитаксии пластины имеет решающее значение, а покрытие его тонкой пленкой карбида тантала (TaC) (покрытие TaC) дает дополнительные преимущества.
При выборе материала носителя эпитаксии пластины необходимо учитывать несколько ключевых факторов:
Температурная устойчивость и химическая стабильность. Процессы эпитаксии светодиодов связаны с высокими температурами и могут включать использование химикатов. Поэтому необходимо выбирать материалы с хорошей термостойкостью и химической стабильностью, чтобы обеспечить устойчивость носителя в высокотемпературных и химических средах.
Плоскостность поверхности и износостойкость: Поверхность носителя эпитаксии должна иметь хорошую плоскостность, чтобы обеспечить равномерный контакт и стабильный рост эпитаксии. Кроме того, износостойкость важна для предотвращения повреждения поверхности и истирания.
Теплопроводность. Выбор материала с хорошей теплопроводностью помогает эффективно рассеивать тепло, поддерживая стабильную температуру роста эпитаксионного слоя и улучшая стабильность и последовательность процесса.
В этом отношении покрытие носителя эпитаксии пластины TaC дает следующие преимущества:
Высокотемпературная стабильность: покрытие TaC демонстрирует превосходную высокотемпературную стабильность, что позволяет ему сохранять свою структуру и характеристики во время процессов высокотемпературной эпитаксии и обеспечивает превосходную термостойкость.
Химическая стабильность: покрытие TaC устойчиво к коррозии, вызываемой обычными химическими веществами и атмосферой, защищая носитель от химического разложения и повышая его долговечность.
Твердость и износостойкость: покрытие TaC обладает высокой твердостью и износостойкостью, укрепляя поверхность носителя эпитаксии, уменьшая повреждения и износ и продлевая срок его службы.
Теплопроводность: покрытие TaC демонстрирует хорошую теплопроводность, способствуя рассеиванию тепла, поддерживая стабильную температуру роста эпитаксионного слоя и улучшая стабильность и однородность процесса.
Таким образом, выбор носителя для эпитаксии с покрытием TaC помогает решить проблемы светодиодной эпитаксии, отвечая требованиям высоких температур и химических сред. Это покрытие обладает такими преимуществами, как высокотемпературная стабильность, химическая стабильность, твердость и износостойкость, а также теплопроводность, что способствует повышению производительности, срока службы и эффективности производства носителя для эпитаксионных пластин.
Физические свойства покрытия TaC | |
Плотность | 14,3 (г/см³) |
Удельная излучательная способность | 0.3 |
Коэффициент теплового расширения | 6,3 10-6/К |
Твердость (ГК) | 2000 Гонконг |
Сопротивление | 1×10-5 Ом*см |
Термическая стабильность | <2500 ℃ |
Изменение размера графита | -10~-20ум |
Толщина покрытия | Типичное значение ≥20 мкм (35 мкм±10 мкм) |