Несущая пластина PSS для травления полупроводников от VeTek Semiconductor представляет собой высококачественный носитель сверхчистого графита, предназначенный для процессов обработки пластин. Наши носители обладают превосходными характеристиками и могут хорошо работать в суровых условиях, при высоких температурах и в суровых условиях химической очистки. Наша продукция широко используется на многих рынках Европы и Америки, и мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.
Как профессиональный производитель, мы хотели бы предоставить вам высококачественную опорную пластину для травления PSS для полупроводников. Несущая пластина PSS для травления полупроводников от VeTek Semiconductor — это специализированный компонент, используемый в полупроводниковой промышленности для процесса травления спектроскопии плазменного источника (PSS). Эта пластина играет решающую роль в поддержке и переносе полупроводниковых пластин во время процесса травления. Добро пожаловать к нам!
Точная конструкция: несущая пластина имеет точные размеры и ровную поверхность, что обеспечивает равномерное и последовательное травление полупроводниковых пластин. Он обеспечивает стабильную и контролируемую платформу для пластин, обеспечивая точные и надежные результаты травления.
Плазмостойкость: Несущая пластина демонстрирует превосходную устойчивость к плазме, используемой в процессе травления. На него не влияют химически активные газы и высокоэнергетическая плазма, что обеспечивает длительный срок службы и стабильную производительность.
Теплопроводность: Несущая пластина обладает высокой теплопроводностью, что позволяет эффективно рассеивать тепло, выделяемое в процессе травления. Это помогает поддерживать оптимальный контроль температуры и предотвращает перегрев полупроводниковых пластин.
Совместимость: Несущая пластина для травления PSS разработана с учетом совместимости с полупроводниковыми пластинами различных размеров, обычно используемых в промышленности, что обеспечивает универсальность и простоту использования в различных производственных процессах.
Основные физические свойства покрытия CVD SiC | |
Свойство | Типичное значение |
Кристальная структура | FCC β-фаза поликристаллическая, преимущественно (111) ориентированная |
Плотность | 3,21 г/см³ |
Твердость | Твердость 2500 по Виккерсу (нагрузка 500 г) |
Размер зерна | 2~10 мкм |
Химическая чистота | 99,99995% |
Теплоемкость | 640 Дж·кг-1·К-1 |
Температура сублимации | 2700℃ |
Предел прочности при изгибе | 415 МПа РТ 4-точечный |
Модуль для младших | Изгиб 430 ГПа, 4 точки, 1300 ℃ |
Теплопроводность | 300Вт·м-1·К-1 |
Тепловое расширение (КТР) | 4,5×10-6К-1 |