Знаете ли вы о MOCVD Susceptor?

В процессе металлоорганического химического осаждения из паровой фазы (MOCVD) суцептор является ключевым компонентом, отвечающим за поддержку пластины и обеспечение однородности и точного контроля процесса осаждения. Выбор материала и характеристики продукта напрямую влияют на стабильность эпитаксиального процесса и качество продукта.

Приемник MOCVD(Металл-органическое химическое осаждение из паровой фазы) является ключевым технологическим компонентом в производстве полупроводников. Он в основном используется в процессе MOCVD (химическое осаждение металлов и органических соединений) для поддержки и нагрева пластины для осаждения тонких пленок. Выбор конструкции и материала суцептора имеет решающее значение для однородности, эффективности и качества конечного продукта.

Тип продукта и выбор материала:

Конструкция и выбор материалов MOCVD Susceptor разнообразны и обычно определяются технологическими требованиями и условиями реакции.Ниже приведены распространенные типы продуктов и их материалы.:

Токоприемник с карбидом кремния(Тоскоприемник с покрытием из карбида кремния):

Описание: Токоприемник с покрытием SiC, с графитом или другими высокотемпературными материалами в качестве подложки и CVD-покрытием SiC (CVD SiC Coating) на поверхности для повышения его износостойкости и коррозионной стойкости.

Применение: Широко используется в процессах MOCVD в высокотемпературных и высококоррозионных газовых средах, особенно при эпитаксии кремния и осаждении сложных полупроводников.

Датчик с покрытием TaC:

Описание: Токоприемник с покрытием TaC (CVD TaC Coating) в качестве основного материала обладает чрезвычайно высокой твердостью и химической стабильностью и пригоден для использования в чрезвычайно агрессивных средах.

Применение: Используется в процессах MOCVD, требующих более высокой коррозионной стойкости и механической прочности, таких как осаждение нитрида галлия (GaN) и арсенида галлия (GaAs).

Графитовый токоприемник с покрытием из карбида кремния для MOCVD:

Описание: Подложка выполнена из графита, поверхность покрыта слоем CVD-покрытия SiC для обеспечения стабильности и длительного срока службы при высоких температурах.

Применение: Подходит для использования в таком оборудовании, как MOCVD-реакторы Aixtron, для производства высококачественных сложных полупроводниковых материалов.

Рецептор EPI (рецептор эпитаксии):

Описание: Токоприемник, специально разработанный для процесса эпитаксиального роста, обычно с покрытием SiC или покрытием TaC для повышения его теплопроводности и долговечности.

Применение: В эпитаксии кремния и эпитаксии сложных полупроводников используется для обеспечения равномерного нагрева и осаждения пластин.

Основная роль сусцептора для MOCVD в обработке полупроводников:

Поддержка пластин и равномерный нагрев:

Функция: Susceptor используется для поддержки пластин в MOCVD-реакторах и обеспечения равномерного распределения тепла посредством индукционного нагрева или других методов для обеспечения равномерного осаждения пленки.

Теплопроводность и стабильность:

Функция: теплопроводность и термическая стабильность материалов Susceptor имеют решающее значение. Токоприемник с покрытием SiC и токоприемник с покрытием TaC могут сохранять стабильность в высокотемпературных процессах благодаря своей высокой теплопроводности и устойчивости к высоким температурам, что позволяет избежать дефектов пленки, вызванных неравномерностью температуры.

Устойчивость к коррозии и долгий срок службы:

Функция: В процессе MOCVD токоприемник подвергается воздействию различных химических газов-прекурсоров. Покрытие SiC и покрытие TaC обеспечивают превосходную коррозионную стойкость, уменьшают взаимодействие между поверхностью материала и реакционным газом и продлевают срок службы токоприемника.

Оптимизация реакционной среды:

Функция: Благодаря использованию высококачественных токоприемников поток газа и температурное поле в реакторе MOCVD оптимизируются, обеспечивая равномерный процесс осаждения пленки и повышая производительность и производительность устройства. Обычно он используется в токоприемниках для реакторов MOCVD и оборудования Aixtron MOCVD.

Особенности продукта и технические преимущества：

Высокая теплопроводность и термостабильность:

Особенности: Суцепторы с покрытием SiC и TaC обладают чрезвычайно высокой теплопроводностью, могут быстро и равномерно распределять тепло и сохранять структурную стабильность при высоких температурах, обеспечивая равномерный нагрев пластин.

Преимущества: Подходит для процессов MOCVD, требующих точного контроля температуры, таких как эпитаксиальный рост сложных полупроводников, таких как нитрид галлия (GaN) и арсенид галлия (GaAs).

Отличная коррозионная стойкость:

Особенности: Покрытие CVD SiC и покрытие CVD TaC обладают чрезвычайно высокой химической инертностью и могут противостоять коррозии от сильно агрессивных газов, таких как хлориды и фториды, защищая подложку токоприемника от повреждений.

Преимущества: Продлите срок службы токоприемника, уменьшите частоту технического обслуживания и повысите общую эффективность процесса MOCVD.

Высокая механическая прочность и твердость:

Особенности: Высокая твердость и механическая прочность покрытий SiC и TaC позволяют датчику Susceptor выдерживать механические нагрузки в условиях высоких температур и высокого давления и сохранять долговременную стабильность и точность.

Преимущества: Особенно подходит для процессов производства полупроводников, требующих высокой точности, таких как эпитаксиальный рост и химическое осаждение из паровой фазы.

Применение на рынке и перспективы развития

MOCVD-суцепторышироко используются в производстве светодиодов высокой яркости, силовых электронных устройств (таких как HEMT на основе GaN), солнечных элементов и других оптоэлектронных устройств. С растущим спросом на полупроводниковые устройства с более высокими характеристиками и меньшим энергопотреблением технология MOCVD продолжает развиваться, стимулируя инновации в материалах и конструкциях токоприемников. Например, разработка технологии покрытия SiC с более высокой чистотой и меньшей плотностью дефектов, а также оптимизация структурного дизайна Susceptor для адаптации к более крупным пластинам и более сложным многослойным эпитаксиальным процессам.

VeTek Semiconductor Technology Co., LTD — ведущий поставщик передовых материалов для покрытия для полупроводниковой промышленности. Наша компания сосредоточена на разработке передовых решений для отрасли.

Наша основная продукция включает в себя покрытия CVD из карбида кремния (SiC), покрытия из карбида тантала (TaC), объемный SiC, порошки SiC и материалы SiC высокой чистоты, графитовый токоприемник с покрытием SiC, кольца предварительного нагрева, отводящее кольцо с покрытием TaC, детали в форме полумесяца и т. д. ., чистота ниже 5 частей на миллион, может удовлетворить требования клиентов.

VeTek Semiconductor специализируется на разработке передовых технологий и решений для разработки продуктов для полупроводниковой промышленности. Мы искренне надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.