Пористый графит высокой чистоты, поставляемый VeTek Semiconductor, представляет собой современный материал для обработки полупроводников. Он изготовлен из углеродного материала высокой чистоты с отличной теплопроводностью, хорошей химической стабильностью и превосходной механической прочностью. Этот пористый графит высокой чистоты играет важную роль в процессе роста монокристаллического SiC. VeTek Semiconductor стремится предоставлять качественную продукцию по конкурентоспособным ценам и надеется стать вашим долгосрочным партнером в Китае.
Высококачественный пористый графит высокой чистоты VeTek Semiconductor предлагает китайский производитель VeTek Semiconductor. Купите пористый графит высокой чистоты VeTek Semiconductor высокого качества напрямую по низкой цене.
Пористый графит высокой чистоты VeTek Semiconductor представляет собой шедевр термостойких материалов, способных выдерживать экстремальные температуры, встречающиеся в полупроводниковых печах. Его превосходная надежность и долговечность означает меньшее количество замен и меньшее время простоя, что со временем приводит к значительной экономии затрат.
Мы производим пористый графит высокой чистоты из источников углерода высочайшего качества, чтобы обеспечить минимальное количество примесей и минимальный риск загрязнения. Такая высокая чистота означает более высокие выходы и превосходные характеристики полупроводниковых устройств.
Выбирайте пористый графит высокой чистоты, исключительная термическая стабильность которого обеспечивает стабильную производительность, что делает его идеальным для критической обработки полупроводников.
Модернизируйте свое производство полупроводников сегодня, чтобы использовать пористый графит высокой чистоты — материал, который меняет способы производства технологий завтрашнего дня. Свяжитесь с нами сегодня, чтобы обсудить ваши конкретные потребности и отправиться на путь инноваций в производстве полупроводников. Давайте работать вместе, чтобы создать превосходное будущее производства полупроводников!
Типичные физические свойства пористого графита | |
предметы | Параметр |
Объемная плотность | 0,89 г/см3 |
Прочность на сжатие | 8,27 МПа |
Прочность на изгиб | 8,27 МПа |
Предел прочности | 1,72 МПа |
Удельное сопротивление | 130 Ом-inX10-5 |
Пористость | 50% |
Средний размер пор | 70ум |
Теплопроводность | 12Вт/М*К |